Development of nanoswitches based on photoexcited ionics phenomena

基于光激发离子现象的纳米开关的开发

• 批准号: 20510099
• 负责人: TSURUOKA Tohru
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20510099/
• 关键词: ナノスイッチ; イオン伝導; ナノフォトイオニクス; ナノデバイス; 抵抗スイッチ; ナノイオニクス; ナノフォトニクス; 光ナノスイッチ; プローブ顕微鏡; 光スイッチ

We have developed resistive switching devices based on conduction of metal ions on a nanometer scale. It was found that the switching mechanism of devices using oxide thin films consists of the formation of a metal filament by inhomogeneous nucleation and its dissolution due to a thermochemical reaction assisted by Joule heating. The validity of the proposed operation model was demonstrated by the fact that the temperature variation of switching behavior can be explained in terms of classical nucleation theory. Similar switching devices were achieved using conduction of metal ions in polymer electrolyte films. Moreover, switching phenomena due to light irradiation were also observed for a device using chalcogenide glass films.

我们在纳米尺度上开发了基于金属离子传导的电阻开关器件。研究发现，氧化薄膜器件的开关机制是由非均匀成核形成金属丝和焦耳加热辅助下的热化学反应溶解金属丝组成的。用经典成核理论可以解释开关行为的温度变化，证明了所提操作模型的有效性。类似的开关装置是利用聚合物电解质薄膜中金属离子的传导来实现的。此外，在使用硫系玻璃薄膜的器件中，还观察到光照射引起的开关现象。

项目成果

スイッチング素子及びスイッチングアレイ

开关元件和开关阵列

• 发表时间: 2010

A Polymer-Electrolyte-Based Atomic Switch

• DOI: 10.1002/adfm.201001520
• 发表时间: 2011-01-07
• 期刊: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS
• 影响因子: 19
• 作者: Wu, Shouming;Tsuruoka, Tohru;Aono, Masakazu
• 通讯作者: Aono, Masakazu

Resistive switching memory based on solid polymer electrolytes

基于固体聚合物电解质的阻变存储器

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Tsuruoka;et al.
• 通讯作者: et al.

高分子電解質膜を用いた接合型原子スイッチ

使用聚合物电解质膜的结型原子开关

• 发表时间: 2011
• 作者: 鶴岡徹;他
• 通讯作者: 他

Temperature effects on the switching kinetics of a Ta_2O_5-baed atomic switch

温度对 Ta_2O_5 基原子开关开关动力学的影响

• 发表时间: 2011
• 期刊: Nanotechnology
• 影响因子: 3.5
• 作者: T.Tsuruoka;et al.
• 通讯作者: et al.