Development of printable atomic switch devices

可打印原子开关器件的开发

• 批准号: 23656024
• 负责人: TSURUOKA Tohru
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656024/
• 关键词: 原子スイッチ; 高分子; インクジェット印刷; ナノイオニクス; フレキシブルデバイス

Gapless-type atomic switches were fabricated on a plastic substrate using an inkjet printing of a solid polymer electrolyte (SPE). Using a high contrast in the surface energy between a metal electrode and the substrate, a thin SPE film could be deposited just over the electrode. The fabricated Ag/SPE/Pt cells showed bipolar resistive switching behavior under electrical bias in vacuum and atmosphere, which is attributed to the formation and dissolution of a metal filament between the electrodes. The cells also exhibited stable switching behavior under bending of the substrate. The obtained results demonstrate that the SPE-printed atomic switch has great potential for flexible switch/memory applications.

采用喷墨印刷的方法在塑料基板上制作了无间隙型原子开关。利用金属电极和衬底之间的表面能的高对比度，可以在电极上沉积薄的SPE膜。所制备的Ag/SPE/Pt电池在真空和大气中的电偏压下表现出双极阻变行为，这归因于电极之间金属丝的形成和溶解。电池也表现出稳定的开关行为下弯曲的基板。结果表明，SPE印刷原子开关在柔性开关/存储器应用中具有很大的潜力。

项目成果

Flexible resistive switching memory using inkjet printing of a solid polymer electrolyte

使用固体聚合物电解质喷墨印刷的柔性电阻开关存储器

• 发表时间: 2012
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: S. R. Mohapatra;T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;and M. Aono
• 通讯作者: and M. Aono

抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として

电阻式存储器（ReRAM）现状与展望：聚焦绝缘纳米薄膜原子开关

• 发表时间: 2011
• 作者: S. R. Mohapatra;T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;M. Aono;向山 広記，永沼 博，大兼 幹彦，安藤 康夫;鶴岡徹
• 通讯作者: 鶴岡徹

抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望：絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として

电阻式存储器（ReRAM）现状与展望：聚焦绝缘纳米薄膜原子开关

• 发表时间: 2011
• 作者: S. R. Mohapatra;T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;M. Aono;向山 広記，永沼 博，大兼 幹彦，安藤 康夫;鶴岡徹;鶴岡徹
• 通讯作者: 鶴岡徹

S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono

S.R.莫哈帕特拉、T.鹤冈、T.长谷川、K.寺部、M.青野

• DOI: 10.1557/opl.2012.1022
• 发表时间: 2012
• 期刊: Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
• 作者: S. R. Mohapatra;T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;M. Aono;曽根 圭太，伊藤 正樹，永沼 博，宮崎 孝道，中嶋 宇史，岡村 総一郎;一ノ瀬 智浩，永沼 博，大兼 幹彦，安藤 康夫;Flexible polymer atomic switches using ink-jet printing technique
• 通讯作者: Flexible polymer atomic switches using ink-jet printing technique

Atomic switch: Development of resistive switching memories based on nanoscale migration of cations in oxide thin films

原子开关：基于氧化物薄膜中阳离子纳米级迁移的阻变存储器的开发

• 发表时间: 2011
• 期刊: Proceedings of the 23rd Symposium on Phase Change Optical Information Storage
• 作者: T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;and M. Aono
• 通讯作者: and M. Aono