Development of printable atomic switch devices
Development of printable atomic switch devices
批准号:
23656024
负责人:
TSURUOKA Tohru
金额:
$2.58万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2012
中文摘要
采用喷墨打印的方法在塑料基板上制作了无间隙型原子开关。利用金属电极和衬底之间的表面能的高对比度,可以在电极上沉积薄的SPE膜。所制备的Ag/SPE/Pt电池在真空和大气中的电偏压下表现出双极阻变行为,这归因于电极之间金属丝的形成和溶解。电池也表现出稳定的开关行为下弯曲的基板。结果表明,SPE印刷原子开关在柔性开关/存储器应用中具有很大的潜力。
英文摘要
Gapless-type atomic switches were fabricated on a plastic substrate using an inkjet printing of a solid polymer electrolyte (SPE). Using a high contrast in the surface energy between a metal electrode and the substrate, a thin SPE film could be deposited just over the electrode. The fabricated Ag/SPE/Pt cells showed bipolar resistive switching behavior under electrical bias in vacuum and atmosphere, which is attributed to the formation and dissolution of a metal filament between the electrodes. The cells also exhibited stable switching behavior under bending of the substrate. The obtained results demonstrate that the SPE-printed atomic switch has great potential for flexible switch/memory applications.
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Flexible resistive switching memory using inkjet printing of a solid polymer electrolyte
使用固体聚合物电解质喷墨印刷的柔性电阻开关存储器
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
AIP Advances
影响因子:
1.6
作者:
[S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, and M. Aono]
通讯作者:
and M. Aono
抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として
电阻式存储器(ReRAM)现状与展望:聚焦绝缘纳米薄膜原子开关
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono, 向山 広記,永沼 博,大兼 幹彦,安藤 康夫, 鶴岡徹]
通讯作者:
鶴岡徹
抵抗変化メモリ(ReRAM)の現状と展望:絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として
电阻式存储器(ReRAM)现状与展望:聚焦绝缘纳米薄膜原子开关
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono, 向山 広記,永沼 博,大兼 幹彦,安藤 康夫, 鶴岡徹, 鶴岡徹]
通讯作者:
鶴岡徹
S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono
S.R.莫哈帕特拉、T.鹤冈、T.长谷川、K.寺部、M.青野
DOI:
10.1557/opl.2012.1022
发表时间:
2012
期刊:
Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
影响因子:
--
作者:
[S. R. Mohapatra, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono, 曽根 圭太,伊藤 正樹,永沼 博,宮崎 孝道,中嶋 宇史,岡村 総一郎, 一ノ瀬 智浩,永沼 博,大兼 幹彦,安藤 康夫, Flexible polymer atomic switches using ink-jet printing technique]
通讯作者:
Flexible polymer atomic switches using ink-jet printing technique
Atomic switch: Development of resistive switching memories based on nanoscale migration of cations in oxide thin films
原子开关:基于氧化物薄膜中阳离子纳米级迁移的阻变存储器的开发
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
Proceedings of the 23rd Symposium on Phase Change Optical Information Storage
影响因子:
--
作者:
[T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, and M. Aono]
通讯作者:
and M. Aono
共 10 条
Development of variable capacitors based on nanoscale ion movement
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批准号:17K05065
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.08万
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财政年份:2017
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负责人:TSURUOKA Tohru
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依托单位:
Development of nanoswitches based on photoexcited ionics phenomena
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批准号:20510099
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2008
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负责人:TSURUOKA Tohru
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依托单位:
国内基金
海外基金
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基于外场作用的聚乳酸低温连续挤出发泡机理研究
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批准号:2026JJ90072
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:胡灿
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依托单位:
聚酯系列聚合物材料改性技术研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:苏俊业
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依托单位:
新型高分子基纳米复合膜的开发及其在印染废水处理中的应用
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:孙自淑
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依托单位:
超低粘度丁基再生橡胶的“可控解聚 ”关键技术研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:杭祖圣
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依托单位:
用于铜扁线共挤出的热塑性聚酰亚胺的技术开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:徐勇
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依托单位:
基于天然高分子改性的可注射智能水凝胶在加速眼眶骨折修复中的研究
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批准号:2026JJ81531
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:吴桐
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依托单位:
线型高分子量端羟基叠氮聚醚高分子高温贮存稳定性研究与调控
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批准号:JCZRLH202601533
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
基于闪蒸焦耳加热诱导融覆和电化学蚀刻钽箔阳极在堆叠型高分子钽电容中性能研究
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批准号:2026JJ80229
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:王文波
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依托单位:
兼具高耐热和阻燃苯并噁嗪树脂材料技术开发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:沙新龙
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依托单位:
汽车用抗冲高强增韧尼龙的研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:段薇薇
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依托单位: