オンウエハセンサ技術による基板電荷蓄積量とイオンエネルギー分布計測技術の開発

利用晶圆上传感器技术开发基板电荷存储量和离子能量分布测量技术

基本信息

  • 批准号:
    21560026
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

プラズマプロセスにおける基板上の電荷蓄積量や紫外線照射損傷量、入射するイオンのエネルギー分布や電子密度をウエハ上で測定する「オンウエハモニタリングセンサ」を開発している。本年度はオンウエハセンサの信頼性向上を検討した。オンウエハセンサの実用のためには、センサ本体のばらつき、測定のばらつきなどが物理的にどう生じ、測定結果にどう影響を与えるかを定量的に把握しておく必要がある。チャージアップセンサのSEM断面観察を27サンプル行い、作製プロセスの管理を行うことで、断面形状のばらつきを±5%以下に抑えることができた。測定ばらつきの原因として、ボンディングパッド部分が考えられたため、ボンディング材料、塗布面積を最適化後、チップ間・ウエハ間・ロット間の測定ばらつきを観察した。測定ばらつきは大きく見積もっても±15%以内に収まることを実際のデータにより示した。また、ばらつき形状がチャージアップ量にどう影響するかについて、シミュレーション技術を用いて調査したところ、±5%以下に抑えることができれば、形状が与える電圧変化量は電圧の測定誤差内に収まることを明らかにした。また、高バイアス印加時の測定不良の改善を試みた。測定不良の原因は測定ラインとチャンバの電位差が起因なので、プラズマ中の測定ラインをガラス管で囲い、導入端子をガラス基板に設置、抵抗による電圧ダンピング、RFフィルタによるRFの除去により、5kWまでの高バイアス印加(DC2kV)でも測定を実現した。
The charge accumulation amount on the substrate, the ultraviolet radiation damage amount, the incident radiation distribution, and the electron density are measured on the substrate. This year, the company will continue to improve its credibility. For the purpose of measurement, physical factors, measurement results, influence and quantification are necessary. The SEM section of the film is observed in 27 different ways, and the management of the film is carried out in different ways. The shape of the film is less than ±5%. After optimizing the coating area, the measurement of the coating area is carried out. The measurement results show that the total amount of water is within ±15%. The measurement error of the voltage change is determined by the measurement error of the voltage change. Try to improve the quality of your products. The causes of measurement defects include the measurement of potential difference, the measurement of potential difference in the measurement of potential difference, the measurement of potential

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Prediction of Abnormai Etching Profile in High Aspect Ratio Via/Hole Etching Using On-wafer Monitoring System
使用晶圆监控系统预测高深宽比通孔/孔蚀刻中的异常蚀刻轮廓
Prediction of UV spectra and UV radiation damage in actual plasma etching processes using on-wafer monitoring technique
使用晶圆监测技术预测实际等离子蚀刻过程中的紫外光谱和紫外辐射损伤
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    B.Jinnai;S.Fukuda;H.Ohtake;S.Samukawa
  • 通讯作者:
    S.Samukawa
オンウェハモニタリングによるPECVDプロセスにおけるチャージングダメージの発生メカニズム解明とそのリアルタイム評価
利用晶圆监控阐明PECVD工艺中充电损伤产生机制及其实时评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    荒木良亮;奥村宏克;陣内佛霖;松永範昭;寒川誠二
  • 通讯作者:
    寒川誠二
Ion Trajectory Prediction at High-Aspect-Ratio Hole Etching by the Combination of On-Water Monitoring and Sheath Modeling
结合水上监测和鞘层建模进行高深宽比孔蚀刻的离子轨迹预测
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大竹浩人;福田誠一;陣内佛霖;辰巳知彦;寒川誠二
  • 通讯作者:
    寒川誠二
Prediction of Abnormal Etching Profile in High-Aspect-Ratio Via/Hole Etching Using On-Water Monitoring System
使用水上监测系统预测高深宽比通孔/孔蚀刻中的异常蚀刻轮廓
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大竹浩人;福田誠一;陣内佛霖;辰巳知彦;寒川誠二
  • 通讯作者:
    寒川誠二
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