Simulation of surfaces and interfaces in Bi ultrathin films on silicon surafaces
Simulation of surfaces and interfaces in Bi ultrathin films on silicon surafaces
硅表面 Bi 超薄膜的表面和界面模拟
批准号：
21560030
负责人：
SAITO Mineo
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
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英文摘要
We carry out fully-relativistic first-principles calculations of Bi nanoribbons on Bi films. As a result, we find the electronic bands originating from the edge and predict novel transport properties of this system. We also study the Rashba effect on the 1-bilayer Bi film on some substrates and find vortexes around theΓand K points.
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シリコン中10原子空孔の電子状態
硅中10个空位的电子态
硅中10个空位的电子态
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Toru Akiyama, Tomoki Yamashita, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, 林建波, 伊藤智徳, 西田和永, 伊藤智徳, 伊藤智徳,伊藤巧,秋山亨,中村浩次, 斎藤峯雄]
通讯作者：
斎藤峯雄
基板上グラフェンナノリボンにおける磁性
基底上石墨烯纳米带的磁性
基底上石墨烯纳米带的磁性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kosuke Ogasawara, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, 林建波, 澤田啓介]
通讯作者：
澤田啓介
グラフェンにおけるアドアトム・空孔対の第一原理計算
石墨烯中原子/空位对的第一性原理计算
石墨烯中原子/空位对的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kosuke Ogasawara, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, 林建波, 澤田啓介, 西田和永]
通讯作者：
西田和永
非磁性基板上グラフェンナノリボンの磁性と電子構造
非磁性基底上石墨烯纳米带的磁性和电子结构
非磁性基底上石墨烯纳米带的磁性和电子结构
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小笠原孝介, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 澤田啓介]
通讯作者：
澤田啓介
グラフェンにおけるアドアトム関連欠陷の第1原理計算
石墨烯中ad原子相关缺陷的第一性原理计算
石墨烯中ad原子相关缺陷的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 斎藤峯雄]
通讯作者：
斎藤峯雄
共 80 条
First-principles simulation of V-group nanofilms
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批准号：19560021
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.16万
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财政年份：2007
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负责人：SAITO Mineo
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依托单位：
海外基金