Fabrication of a point-contact-type Peltier device

点接触型帕尔贴装置的制造

• 批准号: 21560057
• 负责人: YAMAGUCHI Shigeo
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Kanagawa University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560057/
• 关键词: 熱; 熱電変換; ペルチェ; 点接触; 冷却; 加熱

A novel thermoelectric cooling/heating device was proposed and fabricated as an alternative to the conventional pi-type device. The structure includes a sharp tip that is positioned between p-and n-type Bi2Te3 bulks, and the tip can easily be exchanged when different targets are cooled or heated. The tip sizes are 50.100μm when a copper tip is used and 100 nm when a cantilever is used. The tip temperature reached-47.1℃during cooling and 335.0℃during heating. The thermal time constant of the device was as small as 1sec. Our device is useful not only for cooling/heating micro-objects but also for heat manipulation of micro-organisms.

提出并制作了一种新型热电冷却/加热装置，作为传统pi型装置的替代方案。该结构包括一个尖锐的尖端，位于p型和n型Bi2Te3体之间，当不同的目标被冷却或加热时，尖端可以很容易地交换。使用铜尖端时，尖端尺寸为50.100μm，使用悬臂时，尖端尺寸为100 nm。冷却时尖端温度达到-47.1℃，加热时达到335.0℃。该器件的热时间常数小至1秒。该装置不仅可用于微物体的冷却/加热，还可用于微生物的热操作。

项目成果

Electrical properties of InSb thin films with an InAsSb buffer layer grown by MOVPE

MOVPE 生长的具有 InAsSb 缓冲层的 InSb 薄膜的电学特性

• 发表时间: 2011
• 期刊: Physica Status Soildi(c)
• 作者: H.Homma;H.Nagata;S.Yamaguchi
• 通讯作者: S.Yamaguchi

PNサンドイッチ構造ペルチェ素子を用いた温度場ステージの作製と評価

PN夹层结构Peltier器件温度场台的制作与评估

• 发表时间: 2010
• 作者: 鈴木信之;山口栄雄
• 通讯作者: 山口栄雄

温度制御装置及び温度素子用の電源装置

温控设备和温度元件电源

• 发表时间: 2010

Fabrication of a new Peltier device with a coaxial thermocouple

带有同轴热电偶的新型帕尔贴装置的制造

• 发表时间: 2011
• 期刊: Advanced Materials ResearchQ
• 作者: Y. Murayama;H. Homma;and S. Yamaguchi
• 通讯作者: and S. Yamaguchi

PNサンドイッチ構造を用いた同軸熱電対一体型ペルチェ素子の作製・評価

PN夹层结构同轴热电偶集成Peltier器件的制作与评估

• 发表时间: 2011
• 作者: 村山陽輔;山口栄雄
• 通讯作者: 山口栄雄