Fabrication of a thermoelectric device using InSb superlattices with impurity doping

使用杂质掺杂的 InSb 超晶格制造热电器件

• 批准号: 18560016
• 负责人: YAMAGUCHI Shigeo
• 金额: $ 2.41万
• 依托单位: Kanagawa University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560016/
• 关键词: InSb; thermoelectric; InAsSb; 超格子; 熱伝導率; 熱起電力; インジウムヒ素

We proposed a multifunctional sensor based on InSb thin film which has four functions such as hall sensor, infrared detector, temperature sensor, and thermoelectric power generator. The characteristic of each function is as follows.Hall sensor was evaluated by electron mobility and the maximum value was 24000cm^2/Vs at room temperature (RT). The voltage sensitivity of Infrared detector was 156mV/W when peak wavelength of infrared rays from black body was λ=6.9μm.The thermoelectric properties were evaluated using P_f, and the maximum value was 6.4×10_<-3>W/mK^<2> at 600K. And the temperature sensor can be calculated from the temperature dependence of resistance.

提出了一种基于InSb薄膜的多功能传感器，它具有霍尔传感器、红外探测器、温度传感器和热电发电器四种功能。用电子迁移率对霍尔传感器进行了评价，室温下的最大值为24000 cm ^2/Vs。当黑体红外线峰值波长λ=6.9μm时，红外探测器的电压灵敏度为156 mV/W，热电性能用P_f进行评价，在600 K时最大值为6.4×10_<-3>W/mK^<2>。并且温度传感器可以从电阻的温度依赖性来计算。

项目成果

サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性

蓝宝石衬底上Si掺杂InSb的电学性能

• 发表时间: 2006
• 作者: 松本 雅史;山崎 純;山口 栄雄;安原 重雄;下山 紀男
• 通讯作者: 下山 紀男

MOVPE法によるサファイア基板上InSbの結晶成長と評価

MOVPE法在蓝宝石衬底上生长InSb晶体并评价

• 发表时间: 2006
• 作者: 松本 雅史;山崎 純;山口 栄雄
• 通讯作者: 山口 栄雄

MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の結晶成長

MOVPE 法使用 InAsSb 缓冲层晶体生长 InSb 薄膜

• 发表时间: 2007
• 作者: 松本 雅史;山崎 純;山口 栄雄
• 通讯作者: 山口 栄雄

MOVPE法によるInSbの結晶成長と電気的特性

MOVPE 法的 InSb 晶体生长和电性能

• 发表时间: 2006
• 作者: 松本 雅史;山崎 純;山口 栄雄
• 通讯作者: 山口 栄雄

MOVPE-grown InSb with Si doping on sapphire substrate

蓝宝石衬底上 MOVPE 生长的掺杂 Si 的 InSb

• 发表时间: 2007
• 作者: M. Matsumoto;et. al.
• 通讯作者: et. al.