DEVELOPMENT OF THEII-VI MAGNETO-OPTICAL SEMICONDUCTOR THIN FILMS FOR THEIR APPLICATION AT VIOLET, BLUE AND GREEN WAVELENGTHS

紫、蓝、绿波长应用的 II-VI 磁光半导体薄膜的开发

• 批准号: 21560342
• 负责人: IMAMURA Masaaki
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Fukuoka Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560342/
• 关键词: MBE; エピタキシャル; 磁性半導体; 超格子; スピントロニクス

II-VI based magnetic semiconductors with a wide optical band gap are expected to show high potential for optical applications utilizing short wavelength laser diodes. ZnMnTe and ZnMnSe exhibit their absorption edges at 428-544 nm and 428-458 nm, respectively. We have confirmed that the Faraday rotation angle in the ZnMnTe films deposited on quartz glass substrates is large near the absorption edge. On crystallinity, the preferred(111) growth reported previously for CdMnTe films on QG substrates was also observed in the ZnMnTe and ZnMnSe films. The Faraday rotation angle of those films synthesised on QG substrates by using molecular beam epitaxy with a thickness of 2 micron-meters has been studied. A Faraday-effect signal observed for the ZnMnTe film using a 532-nm green LD has shown that ZnMnTe films are useful for green lights. We developed equipment for observing the Faraday effect directly under ac magnetic fields generated by a ring magnet. The results of a direct Faraday rotation observation sucessfully made for the ZnMnTe films under ac fields have been shown.

具有宽光学带隙的II-VI基磁性半导体有望在利用短波长激光二极管的光学应用中显示出高潜力。ZnMnTe和ZnMnSe分别在428-544 nm和428-458 nm处表现出它们的吸收边。我们证实了沉积在石英玻璃衬底上的ZnMnTe薄膜在吸收边附近的法拉第旋转角很大。在结晶度方面，在ZnMnTe和ZnMnSe薄膜中也观察到了先前报道的QG衬底上CdMnTe薄膜的优选（111）生长。研究了用分子束外延技术在QG衬底上生长的2 μ m厚薄膜的法拉第旋转角。使用532-nm绿色LD对ZnMnTe膜观察到的法拉第效应信号表明ZnMnTe膜对于绿色光是有用的。我们研制了一种直接在环形磁铁产生的交流磁场下观察法拉第效应的设备。本文给出了在交流电场下对ZnMnTe薄膜进行的直接法拉第旋转观测的结果。

项目成果

Crystallographic and optical properties of Mn-substituted II-VI based magnetic semiconductor films

Mn取代II-VI基磁性半导体薄膜的晶体学和光学性质

• DOI: 10.1088/1742-6596/200/6/062009
• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of Physics : Conference Series
• 作者: M. Imamura;T. Yamaguchi
• 通讯作者: T. Yamaguchi

II-VI磁性半導体によるフォトルミネッセンス型磁気センサ

使用 II-VI 磁性半导体的光致发光磁传感器

• 发表时间: 2009

II-VI磁性半導体CdMnCoTe四元系薄膜における光磁気効果のエンハンスメント

II-VI 磁性半导体 CdMnCoTe 四元薄膜中磁光效应的增强

• 发表时间: 2010
• 期刊: 福岡工業大学エレクトロニクス研究所所報
• 作者: 今村正明;山口俊尚
• 通讯作者: 山口俊尚

II-VI磁性半導体擬四元CdMnCoTe薄膜のCoの効果による光磁気効果

磁性半导体四元CdMnCoTe薄膜中Co效应引起的II-VI磁光效应

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Imamura;T.Yamaguchi;今村正明
• 通讯作者: 今村正明

II-VI磁性半導体擬四元CdMnCoTe薄膜のCoによる光磁気効果のエンハンスメント

II-VI 磁性半导体四元CdMnCoTe薄膜中Co增强磁光效应

• 发表时间: 2010
• 作者: 今村正明;高城和美;山口俊尚
• 通讯作者: 山口俊尚