Establishment of new growth technology oflow temperature super oxide ionic conductor lanthanum silicate single-crystal used for SOFC

SOFC用低温超氧化物离子导体硅酸镧单晶生长新工艺的建立

基本信息

  • 批准号:
    21560730
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Hexagonal apatite type La_<9.33>(SiO_4)_6O_2 and La_<9.7> Si_6O_<26.55> single crystals as an oxide ionic conductor have been successfully prepared by the sintering method, and an anisotropy in their conductivities was confirmed. The conductivity component parallel to the c-axis was 10-100 times higher than the perpendicular component.
用烧结法成功地制备了六方磷灰石型La_<9.33>(SiO_4)_6O_2和La_<9.7>Si_6O_2<26.55>单晶,并证实了它们的电导率各向异性。平行于c轴的电导率分量比垂直分量高10-100倍。

项目成果

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专利数量(0)
Oxide ionic conductivities of apatite-type lanthanum silicates and germinates and their possibilities as an electrolyte of lower temperature operating SOFC
磷灰石型硅酸镧和萌芽体的氧化物离子电导率及其作为低温运行 SOFC 电解质的可能性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5.2
  • 作者:
    Y. Higuchi;M. Sugawara;K. Onishi;M. Sakamoto and S. Nakayama
  • 通讯作者:
    M. Sakamoto and S. Nakayama
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