混晶を用いたdHvA効果による強相関f電子系の電子状態に関する研究

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f電子を結晶中にドープするCe_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系のdHvA効果測定を行った。特にCe低濃度領域では、LaRu_2Si_2で観測された全てのフェルミ面の連続的観測に成功した。これらのことよりCe_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系において、Ceのf電子はCe低濃度領域でもフェルミ面に寄与している可能性が高いことを明らかにした。また、不純物近藤効果を引き起こし、最低温度で近藤シングレットを形成しているCe2%の濃度において、降温とともにdHvA周波数が変化していることを観測した。この変化は、降温とともにf電子が局在から遍歴に変化している様子をとらえたものである。この温度によるf電子の状態の変化をdHvA効果測定により初めて観測することに成功した。また、これらのことより、近藤シングレット状態のf電子の状態は、遍歴していることを実験的に初めて明らかにした。その結果は、現在論文投稿予定である。化学的圧力印加の系であるCeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2混晶系において、dHvA信号の観測に成功していて、この系では強磁性から反強磁に基底状態が変化する濃度でf電子は局在から遍歴に変化している可能性が高いことが明らかになった。また、輸送測定を行い、残留抵抗、温度の2乗のA係数、Hall効果が、その濃度で不連続に変化し、電子状態が大きく変化していることを明らかにした。これらの結果は論文投稿中である。