权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

有機/有機界面での電界印加電荷発生による超高効率有機EL素子の開発

通过在有机/有机界面施加电场产生电荷来开发超高效有机EL器件

基本信息

批准号：
09J05051
负责人：
千葉貴之
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Yamagata University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、金属酸化物、アルカリ金属や金属などを使用しない有機/有機界面での電界印加電荷発生を利用したCGLの開発およびマルチフォトン構造への応用による、有機EL素子の高効率長寿命化を目的としている。1.有機/有機界面での電界印加による電荷発生条件の検討強い電子アクセプター性(深いLUMO)を有する分子層とドナー性(浅いHOMO)を有するα-NPD層を積層しCGLとし、有機/有機界面でのNPDのHOMO準位とアクセプター層のLUMO準位とのエネルギー差ΔEと電圧-電流密度特性から電界印加時の電荷発生条件を検討した。電子アクセプター性材料には、縮合多環系材料を主骨格とし置換基の修飾によりそのエネルギー準位を調節した。HOMO準位7.0eV、LUMO準位4.4eVを有するHAT(CN)6を用いた系において、電圧-電流密度特性から膜厚依存性が観測されず、良好な電流特性が得られた。2.有機/有機界面での発生電荷を隣接する電子輸送層に注入する手法の確立有機CGLにおいて発生した電子は、アクセプター層のLUMOが深いために隣接する電子輸送層のLUMOへの注入が困難となる。非常に浅いHOMO(4.6eV)を有するテトラチオナフタセン(TTN)は/Alq_3への電子注入障壁を低減させる事が知られており、これら化合物をもとにアルカリ金属を用いない有機電子ドナー材料を積極的に検証した。素子構造はITO/NPD(140)/Alq:Rub:DCJTB1%(20)/DPB(10)/B4PyMPM(10)/TTN(1)/HAT(CN)6(10)/NPD(30)/Alを真空一貫型蒸着装置(真空度:2×10^<-5>Pa)にて作成した。この素子からは良好な発光特性が得られたことから、有機/有機界面での電界印加電荷発生層として機能することが確認された。

The purpose of this study is to improve the efficiency and longevity of organic EL elements by using organic/organic interfaces for charge generation in the electrical field and by using CGL for development and application. 1. The charge generation conditions at the organic/organic interface are discussed. The charge generation conditions at the organic/organic interface are discussed. The charge generation conditions at the organic interface are discussed. The charge generation conditions at the organic/organic interface are discussed. The electronic properties of condensed polycyclic materials are modified by substitution groups in the host cells, and the molecular level of the condensed polycyclic materials is adjusted. HOMO level 7.0eV, LUMO level 4.4eV, HAT(CN)6, voltage-current density characteristics, film thickness dependence, good current characteristics. 2. It is difficult to inject LUMO into the electron transport layer adjacent to the organic/organic interface by means of establishing the organic CGL. Very shallow HOMO(4.6eV) has a low electron injection barrier (TTN)/Alq_3, which is known as a low electron injection barrier. Element structure ITO/NPD(140)/Alq:Rub:DCJTB1%(20)/DPB(10)/B4PyMPM (10)/TTN(1)/HAT(CN)6(10)/NPD(30)/Al is vacuum consistent evaporation device (vacuum degree:2×10^<-5>Pa). The electron has good light-emitting properties, and the organic/organic interface has good charge-generating properties.