遷移金属酸化物ヘテロナノ構造による電界誘起抵抗スイッチング機構解明とデバイス展開

利用过渡金属氧化物异质纳米结构阐明电场诱导电阻切换机制和器件开发

• 批准号: 09J06253
• 负责人: 岡 敬祐
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09J06253/
• 关键词: 遷移金属酸化物; ナノワイヤ; 透過型電子顕微鏡; 第一原理計算法; レーザーMBE; 電解誘起抵抗スイッチング; VLS成長; 酸化ニッケル; 界面構造制御; 環境制御; レーザMBE; 電界誘起抵抗スイッチング; 金属触媒; ヘテロ構造

遷移金属酸化物において発現する抵抗変化メモリデバイスの電界誘起抵抗スイッチング動作を,ナノ構造体を用いた制限空間で発現させることによって物理起源の解析を行う.この解析によってメモリデバイスの産業応用上必要不可欠な最適化指針の提唱を行うことを目的としている.昨年度までにナノ構造体を用いたメモリデバイスの開発、動作検証、詳細な動作メカニズムの解析及び最終ターゲットである透過型電子顕微鏡観察と電気伝導特性評価を同時に行う機構の開発に成功している.本年度は透過型電子顕微鏡観察を実際に行うこと及び電界誘起抵抗スイッチング動作の動作発現モデルを構築するための数値解析を行った.具体的な研究成果は・海外共同研究先において透過型電子顕微鏡による直接観察の実施・第一原理計算法を用いた動作発現モデルの構築について成功した.これらの成果が与えるインパクトは,通常の抵抗変化メモリの研究では解析困難であった固体内部の情報を,透過型電子顕微鏡と電気伝導測定による直接観察及び同時計測の実現によってメカニズムを詳細に検討可能にした点,数値計算を導入することによって実験的には解析困難である原子1つ1つの振る舞いをモデル化し従来では困難であった電界誘起抵抗スイッチング動作のモデル化に成功した点である.

The resistance to the occurrence of migrating metal acids is electrically induced and the physical origin of the structure is analyzed. The analysis of this problem is not necessary for the industry to optimize the pointer. In the past year, the development, operation model, detailed operation model analysis and final analysis of the structure were successfully carried out. This year's transmission electron microscope observation is carried out in a number of ways. Specific research results: Overseas joint research, direct observation, first-principle calculation, and construction of transmission electron micromirrors The results of this research are as follows: 1. The research of resistance transformation is difficult to analyze the internal information of solids. 2. The transmission electron microscope and the electric conduction measurement are directly observed and simultaneously measured. The calculation of numerical values is difficult to analyze, and the atomic values are difficult to analyze.

项目成果

Specific Surface Effect on Transport Properties of NiO/MgO Heterostructured Nanowires

比表面对NiO/MgO异质结构纳米线传输性能的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Physics Letters 95
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐
• 通讯作者: 岡敬祐

Non-volatile Resistive Switching in Individual MgO/NiO Heterostructured Nanowire

单个 MgO/NiO 异质结构纳米线中的非易失性电阻开关

• 发表时间: 2009
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;岡敬祐;長島一樹;Aurelian Marcu;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;柳田剛;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;Annop Klamchuen;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;柳田剛;柳田剛;長島一樹;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;長島一樹;岡敬祐
• 通讯作者: 岡敬祐

酸化物棒状ナノ粒子における抵抗変化メモリ効果とメカニズム解明

氧化物棒状纳米粒子的电阻变化记忆效应及其机制阐明

• 发表时间: 2009
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;岡敬祐;長島一樹;Aurelian Marcu;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;柳田剛;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;Annop Klamchuen;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;柳田剛;柳田剛;長島一樹;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹
• 通讯作者: 長島一樹

Non-volatile Memory Effects in Heterostructured Oxide Nanowires

异质结构氧化物纳米线的非易失性记忆效应

• 发表时间: 2010
• 作者: Yanagida;T.;K.Nagashima;K.Oka;M.Kanai;J.S.Kim;B.H.Park;T.Kawai
• 通讯作者: T.Kawai

Nano-scale Origin of Non-volatile Resistive Switching Phenomena in Nickel Oxide

氧化镍中非易失性电阻开关现象的纳米级起源

• 发表时间: 2011
• 作者: 神田啓太郎;他6人;Keisuke Oka;Keisuke Oka;Kazuki Nagashima;Annop Klamchuen;Annop Klamchuen;Annop Klamchuen;Annop Klamchuen;長島一樹;長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;K.Nagashima;G.Meng;S.Rahong;A.Klamchuen;K.Oka
• 通讯作者: K.Oka