遷移金属酸化物ヘテロナノ構造による電界誘起抵抗スイッチング機構解明とデバイス展開

利用过渡金属氧化物异质纳米结构阐明电场诱导电阻切换机制和器件开发

• 批准号: 09J06253
• 负责人: 岡 敬祐
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09J06253/
• 关键词: 遷移金属酸化物; ナノワイヤ; 透過型電子顕微鏡; 第一原理計算法; レーザーMBE; 電解誘起抵抗スイッチング; VLS成長; 酸化ニッケル; 界面構造制御; 環境制御; レーザMBE; 電界誘起抵抗スイッチング; 金属触媒; ヘテロ構造

遷移金属酸化物において発現する抵抗変化メモリデバイスの電界誘起抵抗スイッチング動作を,ナノ構造体を用いた制限空間で発現させることによって物理起源の解析を行う.この解析によってメモリデバイスの産業応用上必要不可欠な最適化指針の提唱を行うことを目的としている.昨年度までにナノ構造体を用いたメモリデバイスの開発、動作検証、詳細な動作メカニズムの解析及び最終ターゲットである透過型電子顕微鏡観察と電気伝導特性評価を同時に行う機構の開発に成功している.本年度は透過型電子顕微鏡観察を実際に行うこと及び電界誘起抵抗スイッチング動作の動作発現モデルを構築するための数値解析を行った.具体的な研究成果は・海外共同研究先において透過型電子顕微鏡による直接観察の実施・第一原理計算法を用いた動作発現モデルの構築について成功した.これらの成果が与えるインパクトは,通常の抵抗変化メモリの研究では解析困難であった固体内部の情報を,透過型電子顕微鏡と電気伝導測定による直接観察及び同時計測の実現によってメカニズムを詳細に検討可能にした点,数値計算を導入することによって実験的には解析困難である原子1つ1つの振る舞いをモデル化し従来では困難であった電界誘起抵抗スイッチング動作のモデル化に成功した点である.

The transfer of metal acid compounds shows that they are resistant to chemical reaction, and the electrical industry has begun to resist the action of environmental pollution. The system is used to limit the space environment to realize the origin of the physics of environmental pollution. It is necessary to use the most appropriate index to improve the performance of the company. In the year of last year, the equipment was used to start the operation, the analysis and the most successful monitoring of the characteristics of the electronic microscope. at the same time, the operator opened a successful launch. This year, the model computer micro-monitoring system has been launched by the international banking and financial industry to resist the anti-consumer activities. The specific research results have been studied together with overseas researchers. The first principle calculation algorithm has been applied directly to the transmission mode computer microphone. The first principle algorithm has been used to verify the success of the experiment. The results are in good agreement with each other. In general, they are resistant to chemical research, analysis, analysis, internal problems, transmission, microelectronics, direct measurement, direct monitoring and simultaneous analysis. It is difficult to calculate the number of people who are involved in the analysis of the computer. The atom is 1: 1, and the vibration dance is very difficult. The electrical industry is fighting against the impact of the explosion.

项目成果

Specific Surface Effect on Transport Properties of NiO/MgO Heterostructured Nanowires

比表面对NiO/MgO异质结构纳米线传输性能的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Physics Letters 95
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐
• 通讯作者: 岡敬祐

Non-volatile Resistive Switching in Individual MgO/NiO Heterostructured Nanowire

单个 MgO/NiO 异质结构纳米线中的非易失性电阻开关

• 发表时间: 2009
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;岡敬祐;長島一樹;Aurelian Marcu;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;柳田剛;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;Annop Klamchuen;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;柳田剛;柳田剛;長島一樹;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;長島一樹;岡敬祐
• 通讯作者: 岡敬祐

酸化物棒状ナノ粒子における抵抗変化メモリ効果とメカニズム解明

氧化物棒状纳米粒子的电阻变化记忆效应及其机制阐明

• 发表时间: 2009
• 作者: 小長谷有紀;後藤正憲(編);石田慎一郎 (編);長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;岡敬祐;長島一樹;Aurelian Marcu;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;柳田剛;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;Annop Klamchuen;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;柳田剛;柳田剛;長島一樹;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;長島一樹;柳田剛;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹;柳田剛;岡敬祐;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹;長島一樹;岡敬祐;柳田剛;長島一樹
• 通讯作者: 長島一樹

Non-volatile Memory Effects in Heterostructured Oxide Nanowires

异质结构氧化物纳米线的非易失性记忆效应

• 发表时间: 2010
• 作者: Yanagida;T.;K.Nagashima;K.Oka;M.Kanai;J.S.Kim;B.H.Park;T.Kawai
• 通讯作者: T.Kawai

Nano-scale Origin of Non-volatile Resistive Switching Phenomena in Nickel Oxide

氧化镍中非易失性电阻开关现象的纳米级起源

• 发表时间: 2011
• 作者: 神田啓太郎;他6人;Keisuke Oka;Keisuke Oka;Kazuki Nagashima;Annop Klamchuen;Annop Klamchuen;Annop Klamchuen;Annop Klamchuen;長島一樹;長島一樹;長島一樹;Annop Klamchuen;岡敬祐;K.Nagashima;G.Meng;S.Rahong;A.Klamchuen;K.Oka
• 通讯作者: K.Oka