Development of dynamically polarization-controlled optical amplifier using stacked quantum dots

使用堆叠量子点开发动态偏振控制光放大器

• 批准号: 21360151
• 负责人: KITA Takashi
• 金额: $ 11.65万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360151/
• 关键词: 量子ドット; 光アンプ; 偏波無依存; 広帯域; 光通信

Three-dimensionally controlled quantum dot(QD) has aδ-function type density of states, which realizes high-performance devices. In particular, self-assembled InAs/GaAs QDs grown by utilizing the Stranski-Ktrastanov mode are suitable for laser and optical relay devices and are expected to realize polarization-insensitive operation, broad-band operation, and ultrafast response simultaneously. We developed a precisely controlled stacking technique of InAs/GaAs QDs exhibiting the one-dimensional properties. In particular, we fabricated semiconductor amplifiers including the stacked InAs/GaAs QDs and demonstrated the control of the polarization insensitivity.

三维控制量子点（QD）具有δ函数型的态密度，可实现高性能器件。特别是，利用Stranski-Ktrastanov模式生长的自组装InAs/GaAs量子点适用于激光和光中继器件，有望同时实现偏振不敏感工作、宽带工作和超快响应。我们开发了一种具有一维特性的InAs/GaAs量子点的精确控制叠加技术。特别地，我们制作了半导体放大器，包括堆叠的InAs/GaAs量子点，并演示了对极化不灵敏度的控制。

项目成果

量子ドットを用いた偏波無依存デバイス

使用量子点的偏振无关器件

• 发表时间: 2012
• 作者: Masahiro Yokoyama;Watalu Yamamoto and Kazuyuki Suzuki;鈴木治和;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

GaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクス

GaAs 中氮等电子陷阱束缚激子的发射动力学

• 发表时间: 2010
• 作者: 久保輝宜;井上知也;原田幸弘;小島磨;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

原子層窒素ドープGaAsを用いた励起子微細構造の制御と光子源に向けた展開

利用原子层氮掺杂GaAs控制激子精细结构以及向光子源发展

• 发表时间: 2009
• 期刊: 応用物理 78
• 作者: L.J.Qiu;N.Watanabe;T.Asano;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

III-V半導体中不純物制御と励起子物性

半导体中的 III-V 族杂质控制和激子特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 李尚曄;小林由佳;天川修平;石原昇;益一哉;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘

Optical and Ferromagnetic Properties of GdN Thin Films

GdN 薄膜的光学和铁磁性能

• 发表时间: 2010
• 作者: 浅野翔也;前田〓一;大橋亮介;小林孝一;蔵重勲,廣永道彦;H.Yoshitomi
• 通讯作者: H.Yoshitomi