Nitrogen δ doping into GaAs and development of efficient surface emitting devices

GaAs氮δ掺杂及高效表面发射器件的开发

• 批准号: 23656222
• 负责人: KITA Takashi
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656222/
• 关键词: 不純物; GaAs; 窒素ペア; 光子放出

Dilute impurity doping in semiconductors can be applied to fabricate ultimately uniform quantum dots because of their unique electronic structure. These dots are expected to be used in devices based on the interactions between excitons and photons. We developed a novel technique of nitrogen delta-doping into GaAs and clarify the optical properties of the exciton fine structure bound to nitrogen pairs. Furthermore, the device structure achieving efficient photon emission has been proposed.

半导体中的稀杂质掺杂由于其独特的电子结构，可以应用于制造最终均匀的量子点。这些点有望用于基于激子和光子之间相互作用的设备中。我们开发了氮δ掺杂GaAs的新技术，并阐明了与氮对结合的激子精细结构的光学性质。此外，还提出了实现高效光子发射的器件结构。

项目成果

GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性

氮对 GaAs 外延界面的 Delta 掺杂和高度均匀的发光特性

• 发表时间: 2012
• 作者: T.Sakamoto;T.Sato;M. Seki;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

Diamagnetic shift of exciton bound to the nitrogen pairs in GaAs

GaAs 中与氮对结合的激子的抗磁位移

• 发表时间: 2011
• 作者: 青木貞雄;渡辺紀生;浅見博;島田晃広;Takeshi Sato and Kenichi L. Ishikawa;Zhili Yang，Keisaku Yamane，Yasunori Toda，Ryuji Morita;T. Hirano and K. Sakai;Y. Harada
• 通讯作者: Y. Harada

Carrier dynamics of the intermediate state in InAs/GaAs quantum dots coupled in a photonic cavity under two-photon excitation

• DOI: 10.1103/physrevb.86.035301
• 发表时间: 2012-07-02
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Kita, Takashi;Maeda, Tsuyoshi;Harada, Yukihiro
• 通讯作者: Harada, Yukihiro

III-V族量子構造を用いたナノフォトニクス応用

使用 III-V 量子结构的纳米光子学应用

• 发表时间: 2012
• 作者: Roder C;Kasuya H;Tatagiba M;Inoue I;Krischek B;Chisato Kajihara;Yuichi Hongoh;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

光共振器構造中の InAs/GaAs 量子ドットにおける2 段階光吸収の増強

光腔结构中InAs/GaAs量子点的两步光吸收增强

• 发表时间: 2012
• 作者: 原田幸弘;前田剛志;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆