Superlattice semiconductor photocathode for the electron beam source with a high brightness and a long NEA-surface lifetime.
用于电子束源的超晶格半导体光电阴极,具有高亮度和长NEA表面寿命。
基本信息
- 批准号:21740305
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The aim of this study is the realization of the novel electron source using a semiconductor photocathode with high brightness and long NEA-surface-lifetime. This study found that the quantum confinement effect in a superlattice structure has the advantage of small energy spread of extracted electrons and the semiconductor which has small electron affinity and large band-gap energy had the advantage of long NEA-surface-lifetime. The p-GaN photocathode with a bulk structure for the long NEA-surface-lifetime and the InGaN-GaN superlattice photocathode for the generation of photoelectrons with small energy spread ware developed. As a successful result, the p-GaN photocathode achieved ten times longer lifetime than the GaAs photocathode with a bulk structure known as the conventional photocathode and the effective quantum confinement effect was observed by the quantum yield spectrum of the InGaN-GaN superlattice photocathode.
本研究的目的是利用具有高亮度和长NEA表面寿命的半导体光阴极实现新型电子源。研究发现,超晶格结构中的量子限域效应具有引出电子能量扩散小的优点,而电子亲合势小、带隙能大的半导体具有长的NEA表面寿命的优点。研制了具有长NEA表面寿命的体结构p-GaN光电阴极和产生小能散光电子的InGaN-GaN超晶格光电阴极。作为成功的结果,p-GaN光电阴极实现了比GaAs光电阴极长十倍的寿命,具有称为常规光电阴极的体结构,并且通过InGaN-GaN超晶格光电阴极的量子产率谱观察到有效的量子限制效应。
项目成果
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- 资助金额:
$ 3.08万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)