Fabrication of high efficiency solar cell materials using low dimensional Si nanostructures

使用低维硅纳米结构制造高效太阳能电池材料

基本信息

  • 批准号:
    21760015
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

I investigated the development of the next-generation solar cells using functionalized Si nanostructures such as zero-dimensional Si nanocrystals (diameter : 1-50nm, bandgap : 1.1-3.0 eV) and one-dimensional SiNWs (diameter : 5-50nm, bandgap : 1.1-1.5 eV) to realize both low-cost and high efficiency.
我研究了下一代太阳能电池的发展,使用功能化的硅纳米结构,如零维硅纳米晶体(直径:1- 50 nm,带隙:1.1-3.0 eV)和一维硅纳米线(直径:5- 50 nm,带隙:1.1-1.5 eV),以实现低成本和高效率。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Doping and characterization of impurity atoms in germanium nanowires
锗纳米线中杂质原子的掺杂及表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.1
  • 作者:
    N.Fukata;K.Sato;M.Mitome;Y.Bando;T.Sekiguchi;M.Kirkham;J-I.Hong;Z.L.Wang;R.L.Snyder
  • 通讯作者:
    R.L.Snyder
Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価
Si纳米线中B受体浓度分布的定量评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    滝口亮;石田慎哉;横野茂輝;深田直樹;陳君;関口隆史;村上浩一
  • 通讯作者:
    村上浩一
PドープSiナノ結晶の光誘起ESR
磷掺杂硅纳米晶的光致ESR
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長橋綾子;澤田智孝;アチャルジガヤトリ;内田紀行;深田直樹;村上浩一
  • 通讯作者:
    村上浩一
薄膜太陽電池用ボロンドープシリコンナノ粒子の構造評価
薄膜太阳能电池用硼掺杂硅纳米颗粒的结构评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    瀧上泰則;佐藤慶介;平栗健二;深田直樹
  • 通讯作者:
    深田直樹
イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピング
通过离子注入将杂质掺杂到硅纳米线中
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    深田直樹;齋藤直之;石田慎哉;横野茂輝;陣君;関口隆史;菱田俊一;村上浩一
  • 通讯作者:
    村上浩一
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

FUKATA Naoki其他文献

Hole Gas Density Enhancement in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by Thin B-doped Layer Interposition.
通过薄 B 掺杂层插入来增强 Al 催化 SiNW/i-Ge 核壳结构中的空穴气体密度。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;MATSUMURA Ryo;FUKATA Naoki
  • 通讯作者:
    FUKATA Naoki
ビームロッキング EDS/EELS分析:電子チャネリング効果を活用したサイト選択 的定量組成・電子状態評価
锁束 EDS/EELS 分析:利用电子沟道效应进行位点选择性定量成分/电子态评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;FUKATA Naoki;大塚真弘;大塚真弘
  • 通讯作者:
    大塚真弘
The Improvement of Hole Gas Accumulation in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by B-Doped Outermost Si Shell Formation
通过B掺杂最外层硅壳的形成改善Al催化SiNW/i-Ge核壳结构中的空穴气体聚集
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;FUKATA Naoki
  • 通讯作者:
    FUKATA Naoki
The Improvement of Hole Gas generation in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by Thin B-doped Layer Interposition
通过薄 B 掺杂层插入改善 Al 催化 SiNW/i-Ge 核壳结构中空穴气体的产生
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;FUKATA Naoki
  • 通讯作者:
    FUKATA Naoki
B Doping Control and Characterization on Al-Catalyzed Si Nanowires and Their p-Si/i-Ge Core-Shell Nanowires
B Al催化硅纳米线及其p-Si/i-Ge核壳纳米线的掺杂控制和表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;SUBRAMANI Thiyagu;MATSUMURA Ryo;FUKATA Naoki
  • 通讯作者:
    FUKATA Naoki

FUKATA Naoki的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('FUKATA Naoki', 18)}}的其他基金

Control of Three-Dimensional Formation of Monolayer-Multilayer Graphene Films on Silicon Nanostructured Surfaces
硅纳米结构表面上单层-多层石墨烯薄膜的三维形成控制
  • 批准号:
    20K21135
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

相似海外基金

超伝導体-二重量子細線接合系でのクーパー対分離を用いた新奇マヨラナ粒子の実現
在超导体-双量子线结系统中利用库珀对分离实现新型马约拉纳粒子
  • 批准号:
    18J14172
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Si・Ge量子細線の構造制御と電気伝導に係る物性解明およびMOSFETへの応用
Si/Ge量子线的结构控制、与导电相关的物理特性的阐明以及在MOSFET中的应用
  • 批准号:
    11J05847
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁場中単一顕微分光による一次元量子細線の励起子微細構造の研究
磁场中单显微光谱研究一维量子线中激子精细结构
  • 批准号:
    09J01890
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
クリーン量子井戸及び量子細線半導体レーザーにおける次元性とキャリア間相互作用
清洁量子阱和量子线半导体激光器中的维数和载流子相互作用
  • 批准号:
    09F09283
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高品質半導体量子細線・量子井戸レーザー中のキャリア分布と利得
高质量半导体量子线/量子阱激光器中的载流子分布和增益
  • 批准号:
    09J08412
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高品質T型量子細線電流注入レーザーの開発及び一次元レーザー物理の解明
高品质T型量子线电流注入激光器研制及一维激光物理阐释
  • 批准号:
    08J00011
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
希薄磁性半導体量子細線におけるスピン交換相互作用を利用した光機能制御の研究
稀磁半导体量子线中自旋交换相互作用的光功能控制研究
  • 批准号:
    07J00104
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
絶縁体-金属転移の電界制御を利用した量子細線・量子ドット作製とその物性研究
利用电场控制绝缘体-金属转变的量子线和量子点的制备及其物理性质的研究
  • 批准号:
    17651063
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
DNA結合蛋白質を利用したナノドット・分子素子の自由配列と量子細線の形成
使用 DNA 结合蛋白自由排列纳米点/分子元素并形成量子线
  • 批准号:
    16651051
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
セラミックス中への量子細線創製とナノスケール構造解析
陶瓷中量子线的创建和纳米级结构分析
  • 批准号:
    04F04103
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了