Fabrication of high efficiency solar cell materials using low dimensional Si nanostructures
Fabrication of high efficiency solar cell materials using low dimensional Si nanostructures
批准号:
21760015
负责人:
FUKATA Naoki
金额:
$2.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2010
中文摘要
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英文摘要
I investigated the development of the next-generation solar cells using functionalized Si nanostructures such as zero-dimensional Si nanocrystals (diameter : 1-50nm, bandgap : 1.1-3.0 eV) and one-dimensional SiNWs (diameter : 5-50nm, bandgap : 1.1-1.5 eV) to realize both low-cost and high efficiency.
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DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
ACS NANO
影响因子:
17.1
作者:
[N.Fukata, K.Sato, M.Mitome, Y.Bando, T.Sekiguchi, M.Kirkham, J-I.Hong, Z.L.Wang, R.L.Snyder]
通讯作者:
R.L.Snyder
Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価
Si纳米线中B受体浓度分布的定量评估
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[滝口亮, 石田慎哉, 横野茂輝, 深田直樹, 陳君, 関口隆史, 村上浩一]
通讯作者:
村上浩一
PドープSiナノ結晶の光誘起ESR
磷掺杂硅纳米晶的光致ESR
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長橋綾子, 澤田智孝, アチャルジガヤトリ, 内田紀行, 深田直樹, 村上浩一]
通讯作者:
村上浩一
薄膜太陽電池用ボロンドープシリコンナノ粒子の構造評価
薄膜太阳能电池用硼掺杂硅纳米颗粒的结构评估
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[瀧上泰則, 佐藤慶介, 平栗健二, 深田直樹]
通讯作者:
深田直樹
イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピング
通过离子注入将杂质掺杂到硅纳米线中
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[深田直樹, 齋藤直之, 石田慎哉, 横野茂輝, 陣君, 関口隆史, 菱田俊一, 村上浩一]
通讯作者:
村上浩一
共 24 条
Control of Three-Dimensional Formation of Monolayer-Multilayer Graphene Films on Silicon Nanostructured Surfaces
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批准号:20K21135
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2020
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负责人:FUKATA Naoki
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依托单位:
海外基金