Magnetic resistance effect of surface nano-structures with spin-split electronic states

自旋分裂电子​​态表面纳米结构的磁阻效应

• 批准号: 21760027
• 负责人: HATTA Shinichiro
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760027/
• 关键词: 表面; 表面電子状態; スピン分解光電子分光; 表面電気伝導; 表面・界面物性; 超薄膜; スピンエレクトロニクス

For the purpose of measuring magnetic resistance effect of surface nano-structures, a 4-point probe resistance measurement system and an electromagnet coil have been developed in an ultra-high vacuum (UHV) chamber. On the basis of the measurement on a polycrystalline Ni foil, the accuracy of the resistance measurement was evaluated to be ～0.1μΩ. Besides, the electronic structures of the surface superstructures on Ge(111) induced by adsorption of Bi and Pb were studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) and spin-resolved ARPES. Large spin splittings exceeding 200meV were found for surface-state or surface-resonance bands.

为了测量表面纳米结构的磁阻效应，在超高真空室中研制了四探针电阻测量系统和电磁线圈。在多晶Ni箔上的测量结果表明，电阻测量的精度为~0.1μΩ。此外，还利用角分辨光电子能谱（ARPES）和自旋分辨光电子能谱（SP-ARPES）研究了Bi和Pb在Ge（111）表面吸附诱导的表面超结构的电子结构。大自旋分裂超过200毫电子伏被发现的表面状态或表面共振带。

项目成果

First-order transition following precursory relaxation of Peierls distortion on In/Si(111)

In/Si(111) 上 Peierls 畸变先驱弛豫后的一阶跃迁

• 发表时间: 2010
• 作者: S. Hatta;S. Miyamoto;Y. Ohtsubo;H. Tajiri;O. Sakata;H. Okuyama;T. Aruga
• 通讯作者: T. Aruga

Pb/Ge(111)-β(√<3>×√<3>)R30°の表面構造と電子状態

Pb/Ge(111)-β(√<3>×√<3>)R30°的表面结构和电子态

• 发表时间: 2010
• 作者: 矢治光一郎;大坪嘉之;武藤宏;八田振一郎;奥山弘;有賀哲也
• 通讯作者: 有賀哲也

表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II

表面X射线衍射法研究In/Si(111)-(4×1)表面相变II

• 发表时间: 2010
• 作者: 八田振一郎;宮本早苗;大坪嘉之;田尻寛男;坂田修身;奥山弘;有賀哲也
• 通讯作者: 有賀哲也

PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態

PbBi共吸附Ge(111)表面的自旋极化金属肖克利态

• 发表时间: 2010
• 作者: 矢治光一郎;大坪嘉之;八田振一郎;武市泰男;奥山弘;有賀哲也
• 通讯作者: 有賀哲也

PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造

PbBi共吸附Ge(111)表面的原子结构

• 发表时间: 2010
• 作者: 岩田学;八田振一郎;矢治光一郎;河合宣彦;田尻寛男;坂田修身;奥山弘;有賀哲也
• 通讯作者: 有賀哲也