Property control of oxides from impurity doping toward materials design
Property control of oxides from impurity doping toward materials design
从杂质掺杂到材料设计的氧化物性能控制
批准号：
21760030
负责人：
UMEZAWA Naoto
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2010
中文摘要
翻译
这项理论研究表明，用于半导体器件或半导体器件的氧化物材料的性能可以通过与其他材料接触或掺杂杂质元素来改善。特别是，所提出的方法，通过控制氧气流经两种材料之间的界面，以尽量减少缺陷浓度是一个显着的成就，因为它给出了一个新的材料设计的指导方针。
英文摘要
This theoretical study revealed that the properties of oxide materials used in semiconductor devices or photocatalysis can be improved by making contacts with other materials or doping with foreign elements. In particular, the proposed method for minimizing defect concentrations by controlling oxygen flows through interfaces between two materials is a noticeable achievement since it gives a new guideline for materials design.
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DOI：
10.1021/ja2002132
发表时间：
2011-05-04
期刊：
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY
影响因子：
15
作者：
[Bi, Yingpu, Ouyang, Shuxin, Ye, Jinhua]
通讯作者：
Ye, Jinhua
Self-interaction-free nonlocal correlation energy functional associated with a Jastrow function
与 Jastrow 函数相关的无自相互作用非局部相关能量泛函
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DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoto Umezawa, Brian Austin, William A.Lester, Jr.]
通讯作者：
Jr.
DOI：
10.1039/c0ee00807a
发表时间：
2011-04
期刊：
Energy and Environmental Science
影响因子：
32.5
作者：
[Hua Tong;N. Umezawa;Jinhua Ye;T. Ohno]
通讯作者：
Hua Tong;N. Umezawa;Jinhua Ye;T. Ohno
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoto Umezawa, Brian Austin, William A.Lester, Jr.]
通讯作者：
Jr.
界面層削減方法、高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法、高誘電率絶縁膜、及び高誘電率ゲート酸化膜を有するトランジスタ
界面层减少方法、高介电常数栅极绝缘膜的形成方法、高介电常数绝缘膜以及具有高介电常数栅极氧化膜的晶体管
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
海外基金