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光配線を目指したGe量子ドット・マイクロキャビティー融合型電流注入発光デバイス

面向光布线的Ge量子点/微腔融合电流注入发光器件

基本信息

批准号：
21760044
负责人：
夏金松
金额：
$ 2.91万
依托单位：
Tokyo City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

これまでに室温発光を達成している、Ge量子ドット微小共振器構造をベースに、電流注入型ELデバイス構造の開発を進めた。p-i-n接合を有するマイクロディスク(MD)、フォトニック結晶構造作製プロセスを確立した。EBリソグラフィーの合わせマークとして、熱安定性を考慮してHfO_2膜を採用するなどのプロセス最適化を通して、室温エレクトロルミネッセンスを得ることに成功した。得られた発光ピークはMDの共振モードである、Whispering galleryモードであることが、FDTDシミュレーションにより確認された。得られたQ値は60から100であったが、これはPL構造の発光よりも小さく、改善に向け現在原因を特定中である。また、PLと同様に、発光強度は注入電流に対し非線形的な振る舞いを示し、MD中のキャリア密度増大が要因と考えられる。これらの結果は、高Q値(>2000)、単一モード発光デバイス実現へ向けた大きな前進を示すものと言える。

The development of Ge quantum microresonator structure and current-injection EL microresonator structure is progressing. The p-i-n junction has been established as a crystalline structure. EB thin films were successfully optimized for use at room temperature in consideration of thermal stability. To obtain the identification of the resonance of the MD, Whispering gallery, FDTD Q = 60 = 100 = 1 The increase in the density of light in the MD is due to the increase in the intensity of light emitted from the non-linear vibration caused by the injection current. The result is high Q value (>2000), low Q value and high Q value.