Si-Based Light Emitting Devices Based on Ge Self-Assembled Quantum Dots (invited talk)
Si-Based Light Emitting Devices Based on Ge Self-Assembled Quantum Dots (invited talk)
复制标题
基于Ge自组装量子点的硅基发光器件（特邀报告）
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
夏金松
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
夏金松
登录
查看更多内容
Si 衬底上应变平衡 Si0.73Ge0.27/Si 分布式布拉格反射器的制作
影响因子：
4
作者：
K. Kawaguchi;S. Koh;Y. Shiraki;J. Zhang
通讯作者：
J. Zhang
SI 基底上带有 Ge 点的应变平衡 SiGe 平面微腔的光学特性
影响因子：
4
作者：
K. Kawaguchi;M. Morooka;K. Konishi;S. Koh;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki
影响因子：
4
作者：
Xia, J. S.;Ikegami, Y.;Nakata, Y.
通讯作者：
Nakata, Y.
应变 Si1−xGex/Si 量子阱的气源分子束外延和发光表征
影响因子：
1.8
作者：
S. Fukatsu;N. Usami;Y. Kato;H. Sunamura;Y. Shiraki;H. Oku;T. Ohnishi;Y. Ohmori;K. Okumura
通讯作者：
K. Okumura
固源硅分子束外延生长的应变 SiGe/Si 量子阱结构的电致发光
DOI：
--
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Fukatsu;N. Usami;T. Chinzei;Y. Shiraki;A. Nishida;K. Nakagawa
通讯作者：
K. Nakagawa