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Heteroepitaxial growth of GaN on Silicon spheres and its application for high power light emitting diodes
硅球上GaN异质外延生长及其在高功率发光二极管中的应用
基本信息
- 批准号：21760258
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Novel technology based on GaN-on-silicon-sphere were investigated for high power and better light extraction efficiency GaN-based LEDs. Using Si (100) substrates as support submounts, silicon spheres could be fixed and unfixed on the submounts with low-melting-point lead glass. Moreover, correlation between luminescence characteristics and nanostructures in GaInN MQWs on Si substrates was investigated for improved performance. There was a strong correlation between strong luminescence characteristics and their nano- and micro-structures.
研究了一种基于硅球上氮化镓的新技术，用于高功率和更好的光提取效率的GaN基LED。以Si（100）衬底为支撑基台，采用低熔点铅玻璃将硅球固定在基台上，并可将硅球从基台上取下。此外，在硅衬底上的GaInN多量子阱的发光特性和纳米结构之间的相关性进行了研究，以提高性能。有很强的发光特性之间的相关性和它们的纳米和微米结构。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
デンドライトウェブSi基板上GaInN MQW LEDの試作
枝晶网状硅衬底上的 GaInN MQW LED 原型
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石川博康;森直人;嶋中啓太;原陽介;中西正美
- 通讯作者：中西正美
Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon substrates
改进了多孔硅衬底上硅上 GaN 的 MOCVD 生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Ishikawa;K.Shimanaka;M.Azfar bin M.Amir;Y.Hara;M.Nakanishi
- 通讯作者：M.Nakanishi
Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon sbstrates
多孔硅衬底上硅的改进 MOCVD 生长
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Ishikawa;K.Shimanaka;M.Azfar bin M.Amir;Y.Hara M.Nakanishi
- 通讯作者：Y.Hara M.Nakanishi
Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ metlback-etched Si substrates
减少原位回熔蚀刻硅衬底上 GaN 中的穿透位错
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Ishikawa;K.Shimanaka
- 通讯作者：K.Shimanaka
PL and structuralstudies of GaInN MQWs grown on Si substrates
Si 衬底上生长的 GaInN MQW 的 PL 和结构研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H.Ishikawa;N.Mori
- 通讯作者：N.Mori
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- 影响因子：0.7
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SHINONAGA Hideyuki
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- 批准号：
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$ 2.91万 - 项目类别：
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- 批准号：
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$ 2.91万 - 项目类别：
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