結晶相境界を有する新規機能性酸化物薄膜に関する研究
結晶相境界を有する新規機能性酸化物薄膜に関する研究
批准号:
10J03092
负责人:
中村 嘉孝
金额:
$0.45万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 --
中文摘要
本研究は非鉛圧電材料(1-x)BiFeO3-xBiCoO3(BFCO)の薄膜合成と評価を目的に進められた。そのためにBFCOの薄膜を化学溶液法によって単結晶基板上に成長させ、結晶構造と圧電性の評価を行った。まず、SrTiO3(STO)基板上に成長させたBFCO薄膜は、X線回折パターンから得られた格子定数プロットから、菱面体晶相から正方晶相へ連続的な構造転移を示すことが分かった。圧電性の評価を行ったところ、圧電定数(d33)は菱面体晶相でCo置換によって一旦増大し、d33=80pm/Vに達する。しかし、Co置換量が増えるとd33の減少が見られ、基板からの拘束を受けて圧電変位が抑制する効果が示唆された。この結果を受け、菱面体晶相の格子定数と単結晶基板の格子定数との間の格子ミスマッチを大きくして格子緩和させ、菱面体晶相での基板からの拘束の効果を和らげることで圧電性を改善できると考え、STOよりも格子定数の小さい、LaAlO3基板上に成長させたBFCO薄膜の結晶構造と圧電性の関係について調べた。その結果、STO基板上の場合とは対照的に、粉末試料と同様の1次転移的な菱面体晶相から正方晶相への構造転移が観測された。菱面体晶相での格子定数はSTO基板上に作製した場合よりも大きくなり、基板からの歪みが弱まったことが示唆される結果となった。圧電性の評価を行ったところ、菱面体晶相に対する歪みの効果が弱まることで、圧電変位の拘束を和らげる作用が働き、Co添加量の多い組成範囲に渡って圧電定数の増大が見られ、x=0.10でd33=100pm/Vの圧電定数が得られた。この値はBiFeO3で得られている圧電定数の約2倍である。以上の結果から、菱面体晶相BiFeO3へのCo置換によって圧電定数の増大が観測され、非鉛圧電材料の候補物質としてBiFeO3-BiCoO3固溶体が有用であることを見出した。
英文摘要
本研究は非鉛圧電材料(1-x)BiFeO3-xBiCoO3(BFCO)の薄膜合成と評価を目的に進められた。そのためにBFCOの薄膜を化学溶液法によって単結晶基板上に成長させ、結晶構造と圧電性の評価を行った。まず、SrTiO3(STO)基板上に成長させたBFCO薄膜は、X線回折パターンから得られた格子定数プロットから、菱面体晶相から正方晶相へ連続的な構造転移を示すことが分かった。圧電性の評価を行ったところ、圧電定数(d33)は菱面体晶相でCo置換によって一旦増大し、d33=80pm/Vに達する。しかし、Co置換量が増えるとd33の減少が見られ、基板からの拘束を受けて圧電変位が抑制する効果が示唆された。この結果を受け、菱面体晶相の格子定数と単結晶基板の格子定数との間の格子ミスマッチを大きくして格子緩和させ、菱面体晶相での基板からの拘束の効果を和らげることで圧電性を改善できると考え、STOよりも格子定数の小さい、LaAlO3基板上に成長させたBFCO薄膜の結晶構造と圧電性の関係について調べた。その結果、STO基板上の場合とは対照的に、粉末試料と同様の1次転移的な菱面体晶相から正方晶相への構造転移が観測された。菱面体晶相での格子定数はSTO基板上に作製した場合よりも大きくなり、基板からの歪みが弱まったことが示唆される結果となった。圧電性の評価を行ったところ、菱面体晶相に対する歪みの効果が弱まることで、圧電変位の拘束を和らげる作用が働き、Co添加量の多い組成範囲に渡って圧電定数の増大が見られ、x=0.10でd33=100pm/Vの圧電定数が得られた。この値はBiFeO3で得られている圧電定数の約2倍である。以上の結果から、菱面体晶相BiFeO3へのCo置換によって圧電定数の増大が観測され、非鉛圧電材料の候補物質としてBiFeO3-BiCoO3固溶体が有用であることを見出した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
圧電薄膜、圧電素子および圧電素子の製造方法
压电薄膜、压电元件及压电元件的制造方法
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Rhombohedral-Tetragonal Transition and Enhanced Piczoclcctric Property of (1-x)BiFeO3-xBiCoO3 Solid Solution Thin Fitms
(1-x)BiFeO3-xBiCoO3 固溶体薄体的菱面体-四方转变和增强的比容性质
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中村嘉孝, 河合止徳, 東正樹, 島川祐一]
通讯作者:
島川祐一
圧電薄膜, 圧電素子, 圧電素子の製造方法, 液体吐出ヘッドおよび超音波モータ
压电薄膜、压电元件、压电元件的制造方法、液体喷射头以及超声波马达
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
強誘電体薄膜
铁电薄膜
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Rhombohedral-terragonal Transition and Enhancement of Piezoelectric Constanr in (1-x)BiFeO3-xBiCoO3 Solid Solution Thin Films
(1-x)BiFeO3-xBiCoO3固溶体薄膜中菱面体-三方相变和压电常数的增强
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中村嘉孝, 河合正徳, 東正樹, 島川祐一]
通讯作者:
島川祐一
共 7 条
病気予防診断の為のグラフェンバイオセンサーを利用した高感度皮膚ガスセンサーの開発
-
批准号:19K12854
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额:$2.75万
-
财政年份:2019
-
负责人:中村 嘉孝
-
依托单位:
国内基金
海外基金
登录
查看更多内容
高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:王晓丽
-
依托单位:
汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:林改
-
依托单位:
基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
-
批准号:JCZRMS202600414
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:
-
依托单位:
CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
-
批准号:2026JJ50456
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:谭彦妮
-
依托单位:
二维卤化物铁电钙钛矿电子态及电子输运性质研究与调控
-
批准号:2026JJ50114
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:刘标
-
依托单位:
(BiₓIn₁₋ₓ)₂Se₃ NW/MoS₂异质结构二阶非线性光学响应调控和机理研究
-
批准号:2026JJ50115
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:陈智慧
-
依托单位:
基于光交联的高稳定性图案化电致变色薄膜及其多色显示器件
-
批准号:ZCLMS26E0302
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:李锦
-
依托单位:
用于粉体农药包装PVA薄膜的研发
-
批准号:
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:丁长明
-
依托单位:
智能化柔性光电薄膜材料精准制备平台
-
批准号:JCZRMS202601078
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:
-
依托单位:
钙钛矿准单晶薄膜的原子级气相沉积及其太阳能电池研究
-
批准号:JCZRQNA202600009
-
项目类别:省市级项目
-
资助金额:--
-
批准年份:2026
-
负责人:
-
依托单位: