固体電解質を含むバイアス印加多相界面におけるイオンダイナミクスの第一原理解析
含固体电解质的偏置多相界面离子动力学的第一性原理分析
基本信息
- 批准号:10J10039
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
金属/ジルコニア界面の空間電荷層昨年度は、イオン欠陥からなる界面近傍の空間電荷層について、従来の連続体モデルを発展させて、結晶格子の不連続性を取り入れたparallel-sheetsモデルを考案し、計算を行った。今年度はさらに、このモデルを使って界面近傍のドーパント偏析を考慮した計算を行った。アクセプタードーパントが界面に偏析している場合は偏析が無い場合に比べて、酸化雰囲気で生じる酸素空孔欠乏層の幅が減少し、還元雰囲気で生じる酸素空孔蓄積層の幅が増加することが分かった。この内容については原著論文を投稿し、受理、掲載された。金属表面のバイアス下ダイナミクス抵抗変化素子への応用が期待される原子スイッチを念頭に、銅表面にバイアスがかかった状態での第一原理分子動力学シミュレーションを行った。対向電極に向けて金属イオンが移動し、架橋の生成が開始することを期待したが、シミュレーションの時間内(100ps程度)では観察できなかった。室温で行われる実験に比べてかなり高温(800K)でシミュレーションを行っており、何らかの素過程の開始が観察されても不思議では無い。従って、シミュレーションで考慮していない粒界などの影響が大きいことが示唆された。金属/強誘電体界面の誘電応答、分極ドメイン形成強誘電体は分極を抑えることで負の誘電率を示すことが知られている。通常は分極した方が安定であるが、薄膜化すること分極を抑えることができるとされており、本研究ではこの負の誘電率を用いて電圧増幅とキャパシタンス増幅を実現できないか、軌道分離法を用いた第一原理計算によって検討した。分極ドメインが単一であるという仮定のもとでは確かにキャパシタンスの増幅が起こることを確認した。ただし、分極を考慮すればこの限りではない可能性があり、分極を考慮した計算も開始したが、結論を得るまでは至っていないため、今後の課題とする。
The space charge layer at the metal/silicon interface was examined and calculated in parallel with the space charge layer near the interface, the development of the crystal lattice, and the continuity of the crystal lattice. This year, the calculation of the distance between the two surfaces is considered. In the case of interface segregation, the amplitude of acid void accumulation layer decreases and the amplitude of acid void accumulation layer increases compared with that of acid void accumulation layer. The content of the original paper is submitted, accepted and published. First principles molecular dynamics for metal surfaces and copper surfaces The metal in the opposite direction moves and the bridge starts to form. It is expected that the metal in the opposite direction will move within 100ps. At room temperature, the temperature is higher than that at high temperature (800K). In addition to the above, it is necessary to consider the influence of the grain boundary on the development of the grain boundary. Metal/ferroelectric interface induced polarization, polarization In this study, the first principle calculation of the negative inductivity was discussed by using the method of orbital separation. The difference between the two sides is that the difference between the two sides is different. For example, if you want to start a project, you can start a project. If you want to start a project, you can start a project.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
First principles analysis of the capacitance density of high-k nanocapacitors utilizing the orbital separation approach
利用轨道分离方法对高 k 纳米电容器的电容密度进行第一性原理分析
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shusuke Kasamatsu;Seungwu Han;Satoshi Watanabe
- 通讯作者:Satoshi Watanabe
First principles analysis of space charge layer formation at metal/zirconia interface
金属/氧化锆界面空间电荷层形成的第一性原理分析
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shusuke Kasamatsu;Tomofumi Tada;Satoshi Watanabe
- 通讯作者:Satoshi Watanabe
強誘電体薄膜における負の誘電率発現の第一原理解析
铁电薄膜负介电常数的第一性原理分析
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:笠松秀輔;S. Han;C. S. Hwang;渡邊聡
- 通讯作者:渡邊聡
ab-initio investigation of nanocapacitors-orbital separation approach-
纳米电容器的从头开始研究-轨道分离方法-
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shusuke Kasamatsu;Seungwu Han;Satoshi Watanabe
- 通讯作者:Satoshi Watanabe
Orbital-Separation Approach for Consideration of Finite Electric Bias within Density-Functional Total-Energy Formalism
考虑密度泛函总能量形式中的有限电偏置的轨道分离方法
- DOI:10.1103/physrevb.84.085120
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Shusuke Kasamatsu;Satoshi Watanabe;Seungwu Han
- 通讯作者:Seungwu Han
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Cheol Seong Hwang
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