強誘電体ゲート/極性半導体チャネルFETの分極間相互作用とデバイス物性

铁电栅极/极性半导体沟道FET的极化相互作用和器件特性

基本信息

  • 批准号:
    10J10285
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.45万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

当申請で新規な分極機能型強誘電体ゲート電界効果薄膜トランジスタ(TFT)を提案した。これは極性を有する酸化物半導体をチャネルに用いることによって、その自発分極が強誘電体の自発分極を安定化させることを期待したものである。極性酸化物半導体としてZnO、強誘電体としてYMnO_3を用いた。これらは自発分極量が同程度であり、本研究に適した材料である。このZnOとYMnO_3のヘテロ構造を作製し、X線や電子線回折、原子間力顕微鏡によってその結晶性や表面構造を評価し、それらの結果を基に製膜条件の最適化を行った。その結果、エピタキシャル成長したZnO/YMnO_3ヘテロ構造を得ることができた。その最適条件を用いて作製した分極機能型強誘電体ゲートTFTは±2VでON/OFF動作し、ZnOの自発分極によってYMnO_3の自発分極が反転しやすくなり、低電圧駆動が実現することを実験的に確かめ、その有用性を明らかにした。また、強誘電体ゲートTFTは強誘電体の分極反転によって動作するが、その基本的な動作機構は未だ解明されていない。その理解を深めるためには強誘電体の自発分極の反転機構を解析することが重要である。この強誘電体の自発分極のスイッチングを申請者は従来からのチャネルの電気伝導特製の評価から解析するだけでなく、チャネルの誘電特性から評価する新規な評価法を確立した。特にソース・ゲート電極間のインピーダンス解析により、これまで評価が難しく解明されてこなかったゲート電圧挿引時のチャネル下の強誘電体の自発分極方向を評価できることを示した。この評価手法の確立により、分極機能型強誘電体ゲートTFTの有用性および強誘電体の自発分極のスイッチングを容易にする条件が明らかにされ、今後の強誘電体ゲートTFTの設計指針となる重要な知見を示した。
When applying for a new polarization functional ferroelectric thin film (TFT) proposal The polarity of the acid compound semiconductor is different from that of the strong inductor. Polar-acid semiconductor ZnO, ferroelectric YMnO_3 This study was conducted on the basis of the material. The crystal structure of ZnO and YMnO_3 was studied by X-ray, electron beam reflection and atomic force microscopy. The crystal structure and surface structure of ZnO and YMnO_3 were evaluated and optimized. ZnO/YMnO_3 structure was obtained from the results of the experiment. The optimum conditions for the manufacture of polar-function ferroelectric TFTs are ±2V ON/OFF operation, ZnO self-polarization, YMnO_3 self-polarization, low voltage switching, and their usefulness are clearly demonstrated. The basic operating mechanism of the ferroelectric TFT is still unclear. An analysis of the mechanism of self-polarization of an inductive substance is important. The applicant shall establish a new evaluation method for the evaluation of the inductive characteristics of the electromagnetic wave generated in the future. Special attention should be paid to the analysis of the polarization between the electrodes, and the evaluation of the polarization direction of the ferroelectric under the voltage excitation. The evaluation method is established, the usefulness of polar-function ferroelectric TFTs and the conditions for easy switching of polar-function ferroelectric TFTs are clarified, and the important knowledge of design guidelines for future ferroelectric TFTs is shown.

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
強誘電体ゲートTFTのRC分布定数回路を用いたインピーダンス解析
使用铁电栅极 TFT 的 RC 分布常数电路进行阻抗分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福島匡泰;前田和弘;吉村武;芦田淳;藤村紀文
  • 通讯作者:
    藤村紀文
Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate TFT using RC lumped constant circuit
使用RC集总常数电路的受控偏振型铁电栅TFT的阻抗分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    小池敏靖;泉川友美;北川裕之;宮崎洋祐;Tadahiro FUKUSHIMA
  • 通讯作者:
    Tadahiro FUKUSHIMA
Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate TFT
可控偏振型铁电栅TFT的阻抗分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小池敏靖;泉川友美;北川裕之;Tadahiro FUKUSHIMA
  • 通讯作者:
    Tadahiro FUKUSHIMA
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

福島 匡泰其他文献

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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  • 批准号:
    08555078
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 0.45万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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