X線自由電子レーザー用ビームスプリッターの開発
X射线自由电子激光器分束器的研制
基本信息
- 批准号:21656040
- 负责人:
- 金额:$ 1.54万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究の目的は、開発が進むX線自由電子レーザー(XFEL)施設において、ポンプ&プローブ実験に使用されるディレイラインに導入されるXFELビームスプリッターを作製することにある。現在、世界中で開発が進められているが、その作製が極めて困難であるため現在成功した例はない。XFELは極めて強度が強いために、素子が厚い場合、吸収により温度が上昇し素材が変形する。計算により厚さ1μm以下にする必要がありこれが困難性を高めている。機械加工による方法が試みられているが、X線のブラック反射に不可欠な結晶性を維持できない。そこで本研究では、プラズマCVMを用いることにより、加工変質層の除去するとともに、薄膜化を実施した。そして、SPring-8において作製したビームスプリッターの特性評価を行った。研究項目1である1.X線ビームスプリッターのオフライン評価では、プラズマCVMにより薄膜化されたSiのビームスプリッターの膜厚分布をレーザー干渉計により評価し、膜厚修正による均一化を可能にした。作製プロセスとしては、全体の加工変質層を除去した後、X線照射部の薄膜化を行う2段プロセスとした。研究項目2であるSPring-8におけるX線ビームスプリッター光学系の構築では、SPring-81km長尺ビームラインにおいて、ビームスプリッターの評価システムを構築し、反射像およびロッキングカーブの測定を行った。明らかな改善が見られ、プラズマCVMによる加工変質層除去による特性改善を確認した。
The purpose of this study is to develop a new method for controlling X-ray free electron emission (XFEL). Now, the world is open and difficult, and now it is successful. XFEL has a high intensity, high absorption temperature, and low absorption temperature. The calculation is less than 1μm thick. Mechanical processing methods are used to maintain crystallinity, X-ray reflection and crystallization. In this study, the CVM was used to remove the thin film. SPring-8 is the most important part of SPring. Study item 1. X-ray film thickness distribution of Si film thickness in thin film design, evaluation and uniformity of film thickness correction. After removing all the processed layers, the X-ray irradiation part is thinned into two stages. Research project 2: Construction of SPring-8 X-ray optical system, construction of SPring-81km X-ray optical system, evaluation of SPring-81km X-ray optical system, measurement of reflection image The improvement of the characteristics of the processed material layer was confirmed.
项目成果
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专著数量(0)
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专利数量(0)
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