グラフェンの特異な配列を用いたファンデルワールス熱伝導のその場計測

使用独特的石墨烯排列对范德华热传导进行原位测量

基本信息

  • 批准号:
    21656060
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.05万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

微小なグラフェンのカップが数多く積層してできているカップスタック型カーボンナノファイバー(CSCNF)を試料として、そのカップ間隔を人為的に操作することによる熱伝導率の変化を定量的に計測することを目指し、T字一体型プローブ法を応用した「その場」計測を可能とするナノセンサを開発した昨年度に引き続いて今年度も実験的にナノ材料1本の熱計測を行った。CSCNF試料1本の熱伝導率計測から、グラフェン層間の単位面積あたり熱抵抗は10^(-10)[m^2K/W]のオーダーであることがわかった。この値は分子動力学シミュレーションで報告されている10^(-8)に比べて2桁ほど小さい。これはフォノンが弾道的に層間を透過していることを示唆するもので、ナノ材料においては抵抗の足し算ではなくて系全体で熱流を評価すべきものであるとわかった。すなわち、カップ間隔を操作して熱伝導の変化を見る意義は低いとの結論に至った。そこで、実験対象を多層カーボンナノチューブの先端と固体表面の間のファンデルワールス熱伝導へと切り替え、上記ナノセンサによる界面熱抵抗の定量的計測をHRTEM観察を併用しながら実施したところ、グラフェンのc軸方向と金表面の間では10^(-8)[m^2K/W]程度であることがわかった。さらに、a軸方向についても機械的に開いた先端を用いて実験し評価したところ、c軸の場合よりも単位面積あたりで1桁ほど小さい熱抵抗が得られた。この結果は理論的予測とよく一致するものであり、本研究の信頼性が確認されるとともに今後の研究の展開に大きく期待できることとなった。
Tiny Nailsー(CSCNF)として、そのカップintervalをartificialにoperationすることによるthermal conductivity change Quantitative measurement method, T-shaped integrated measurement method, measurement method using the "そのfield" measurement method is possible. The るナノセンサを开発したlast year's に citedき続いてthis year's も実験's にナノmaterial 1book's thermal meter measurement を行った. Thermal conductivity measurement of CSCNF sample 1 and the unit area between layers of CSCNF were measured. Resistanceは10^(-10)[m^2K/W]のオーダーであることがわかった.この値は Molecular Dynamics シミュレーションで report されている10^(-8)に than べて2桁ほど小さい. The layers of the これはフォノンが弾道 are shown through the していることを するもので、おノmaterials All the resistance of the おいてはの足しcalculates the ではなくて series and the heat flow をreview価すべきものであるとわかった.すなわち,カップintervalをoperationして热伝guiの変化を见るmeaningはlowいとの Conclusionに到った.そこで、実験対肖をMulti-layered カーボンナノチューブのtip and solid surface の间のファンデルワールスThermogenic conductor へと Cut り substitute え、The above mentioned ナノセンサによるinterface thermal resistance のquantitative Measurement and HRTEM observations were carried out in conjunction with the c-axis direction The degree of gold surface is 10^(-8)[m^2K/W].さらに、A-axis direction についてもMechanical にOpen いたtip を Use いて実験し 価 したとIn the case of ころ and c-axis, the unit area is small and the heat resistance is small. The results are consistent with the predictions of the theory, and the reliability of this study is correct. I am looking forward to the future development of research and development.

项目成果

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专著数量(0)
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专利数量(0)
A GRAPHENE CHAIN ACTS AS A LONG-DISTANCE BALLISTIC HEAT CONDUCTOR
石墨烯链充当长距离弹道热导体
Experimental and numerical studies on ballistic phonon transport of cup-stacked carbon nanofiber
叠杯碳纳米纤维弹道声子输运的实验与数值研究
ナノスケールの接触熱抵抗に関する実験的アプローチ
纳米级接触热阻的实验方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    廣谷潤;甲斐聡;生田竜也;高橋厚史
  • 通讯作者:
    高橋厚史
カーボンナノチューブと固体間の界面熱抵抗に関する実験的研究
碳纳米管与固体界面热阻实验研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    廣谷潤;甲斐聡;生田竜也;高橋厚史
  • 通讯作者:
    高橋厚史
Effect of Underetching on Thermal Conductivity Measurement of Suspended Nanofilm
底蚀对悬浮纳米膜热导率测量的影响
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球の突発的な回転が引き起こす気体の非定常応答
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    田口智清,辻徹郎,小寺雅司
Multi-objective optimization for snap-through deformation of bi-stable composite shell
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  • DOI:
    10.1299/transjsme.14-00531
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    楢﨑 将弘;高橋 厚史;生田 竜也;西山 貴史;林 浩之;高田 保之;本田 真也,髙橋 圭佑,成田 吉弘
  • 通讯作者:
    本田 真也,髙橋 圭佑,成田 吉弘
Measurement and modulation of the liquid slip length in graphene nanochannels
石墨烯纳米通道中液体滑移长度的测量和调制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kuan-Ting Chen;大森 健史;生田 竜也;李 秦宜;山口 康隆;高橋 厚史
  • 通讯作者:
    高橋 厚史
TEMを用いたナノバブルの温度応答に関する実験的研究
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    正覚 雄善;Sarthak Nag;塘 陽子;李 秦宜;生田 竜也;河野 正道;髙橋 厚史
  • 通讯作者:
    髙橋 厚史
磁性ナノ粒子鎖形成の多孔体作製への応用
磁性纳米粒子链形成在多孔材料制造中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    正覚 雄善;Sarthak Nag;塘 陽子;李 秦宜;生田 竜也;河野 正道;髙橋 厚史;田口智清,辻徹郎,小寺雅司;Taka-aki Yano;岡 智絵美,小林 京貴,櫻井 淳平,長野 方星,秦 誠一
  • 通讯作者:
    岡 智絵美,小林 京貴,櫻井 淳平,長野 方星,秦 誠一

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次世代において多方面でMEMS技術を推進するための公開化研究
公共研究推动下一代MEMS技术在各领域的应用
  • 批准号:
    16919154
  • 财政年份:
    2004
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  • 项目类别:
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