Control of spin properties at nitride-semiconductor interfaces
Control of spin properties at nitride-semiconductor interfaces
氮化物-半导体界面自旋特性的控制
批准号：
21710102
负责人：
GOHDA Yoshihiro
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2012
中文摘要
翻译
对GaN等氮化物半导体与非磁性材料的界面进行了基于第一性原理计算的磁性理论研究。AlN/MgB_2的界面铁磁性及其自旋输运性质的预测发表在《物理评论快报》上。此外，关于GaN/石墨烯界面自旋性质的研究结果也发表在《应用物理快报》上。
英文摘要
Theoretical investigations on magnetism based on first-principles calculations were conducted for interfaces between nitride-semiconductors such as GaN and non-magnetic materials. Prediction of interface ferromagnetism for AlN/MgB2 and its spin-transport properties were published in Physical Review Letters. In addition, findings on spin properties of GaN/graphene interfaces were disclosed in Applied Physics Letters.
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New phase of graphene at interfaces with GaN
石墨烯与 GaN 界面处的新相
石墨烯与 GaN 界面处的新相
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[合田 義弘, 常行 真司]
通讯作者：
常行 真司
First-principles calculations on metal-inducedgap states at metal-semiconductor interfaces
金属-半导体界面金属诱导间隙态的第一性原理计算
金属-半导体界面金属诱导间隙态的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[羽曾部卓, Atula Sandanayaka, T. Hayashi・田中勇作・M. Hara, 合田義弘]
通讯作者：
合田義弘
シミュレーション辞典、項目(「GaN中不純物のシミュレーション」)
模拟词典，条目（“GaN 中杂质的模拟”）
模拟词典，条目（“GaN 中杂质的模拟”）
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tomohiro Hayashi, Ken-ichi Sano, Kiyotaka Shiba, Kenji Iwahori, Ichiro Yamashita, Masahiko Hara, 林智広・田中勇作・原正彦, 合田義弘]
通讯作者：
合田義弘
Two-dimensional intrinsic ferromagnetism at nitride-boride interfaces
氮化物-硼化物界面处的二维本征铁磁性
氮化物-硼化物界面处的二维本征铁磁性
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Phys.Rev.Lett.
影响因子：
--
作者：
[Y.Gohda, S.Tsuneyuki]
通讯作者：
S.Tsuneyuki
窒化物半導体との界面におけるグラフェンの構造相転移
石墨烯与氮化物半导体界面的结构相变
石墨烯与氮化物半导体界面的结构相变
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[合田義弘, 常行真司]
通讯作者：
常行真司
共 40 条
Electron theory on magnetic elements and heavy elements in nanostructures
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批准号：17K04978
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2017
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负责人：GOHDA Yoshihiro
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依托单位：
海外基金