Study on the nonlinear characteristics in semiconductor nanowire three branch junction and its control

半导体纳米线三分支结非线性特性及其控制研究

• 批准号: 22310084
• 负责人: KASAI Seiya
• 金额: $ 11.73万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22310084/
• 关键词: 半導体ナノワイヤ; 3分岐接合; ナノデバイス; 非線形; ゲート制御; ３分岐接合; 自己スイッチングダイオード

In order to understand the mechanism of the nonlinear electric characteristics in the semiconductor-based three-branch nanowire junction (TBJ) device, we have developed a light-induced local conductance modulation system and characterized the device. We clarified that the non-uniform distribution of conductance inside the TBJ resulted in the nonlinear characteristics. For application of the TBJ, we designed and fabricated NAND gates and flip-flop circuits integrating the TBJ devices, and succeeded in their correct operation. We have extended the TBJ technology to other materials, such as graphene and ZnO.

为了了解半导体三分支纳米线结(TBJ)器件的非线性电学特性的机理，我们研制了一种光致局域电导调制系统，并对该器件进行了表征。阐明了热电偶内部电导的不均匀分布导致了其非线性特性。为了实现与非门的应用，我们设计并制作了与非门和触发器电路，成功地实现了与非门和触发器的正确工作。我们已经将TBJ技术扩展到其他材料，如石墨烯和氧化锌。

项目成果

GaAsナノワイヤCCDの電荷転送効率の評価

GaAs纳米线CCD电荷转移效率评估

• 发表时间: 2012
• 作者: 中野雄紀;田中貴之;葛西誠也
• 通讯作者: 葛西誠也

Flexible Zinc Oxide Thin-Film Transistors using Oxide buffer layers on Polyethylene Napthalate Substrates

在聚萘二甲酸乙二醇酯基板上使用氧化物缓冲层的柔性氧化锌薄膜晶体管

• DOI: 10.1109/imfedk.2011.5944860
• 发表时间: 2011
• 期刊: Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
• 作者: T.Higaki;T.Tachibana;Y.Kimura;T.Maemoto;S.Sasa;M.Inoue
• 通讯作者: M.Inoue

雑音共存確率共鳴トランジスタ

噪声共存随机谐振晶体管

• 发表时间: 2011
• 作者: 村田厚生;森若誠;葛西誠也
• 通讯作者: 葛西誠也

半導体ナノワイヤネットワークと情報処理機能

半导体纳米线网络和信息处理功能

• 发表时间: 2011
• 作者: Kazuhiko Kasai;Akira Mita;Haruyuki Kitamura;Kazuhiro Matsuda,Troy A. Morgan;and Andrew W. Taylor;葛西誠也
• 通讯作者: 葛西誠也

確率共鳴の電子的利用を可能にする半導体ナノデバイス技術

半导体纳米器件技术可实现随机共振的电子应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 奥原浩之;津田博史;渋谷和彦;椿広計;山泰幸;葛西誠也
• 通讯作者: 葛西誠也