Preparation and photovoltaic application of oxide thin films withlow defect concentration by aqueous electrochemical process

水相电化学法制备低缺陷浓度氧化物薄膜及其光伏应用

• 批准号: 22550164
• 负责人: ASHIDA Atsushi
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22550164/
• 关键词: 結晶成長; 高効率太陽光発電材料・素子; 格子欠陥; セラミックス; 新エネルギー; 酸化銅; 酸化亜鉛; 太陽電池; 電気化学; 欠陥; 電導特性; 電気化学成長; 酸化物半導体; 非化学量論性欠陥; 光励起発光; 連続膜

ZnO/Cu2O solar cell fabricated by aqueous process is safe, secure, low cost and environment-friendly . In this study, thin films of ZnO and Cu2O were deposited by the electrochemical process. By evaluation and improvement of the nucleation and initial growth of ZnO, dense and continuous thin films are obtained with high reproducibility . Dependence of the lattice constant of Cu2O on the concentrations of oxygen sources, hydroxyl and dissolved oxygen in the electrolytes, were also evaluated. It is known that he lattice constant is influenced by the concentration of Cu vacancy which is an origin of the carrier. The results suggest that the carrier density of Cu2O films can be controlled by changing the concentration of oxygen sources.

通过水性工艺制造的ZnO/Cu2O太阳能电池是安全，安全，低成本和环境友好的。在这项研究中，通过电化学过程沉积了ZnO和Cu2O的薄膜。通过评估和改善ZnO的成核和初始生长，具有高可重现性获得致密和连续的薄膜。还评估了电解质中Cu2O晶格常数对氧源，羟基和溶解氧的浓度的依赖性。众所周知，他的晶格常数受载体起源的Cu空位浓度的影响。结果表明，Cu2O膜的载体密度可以通过改变氧气源的浓度来控制。

项目成果

Norifumi Fujimura, "Local pH Control by Electrolysis for ZnO Epitaxial Deposition on a Pt Cathode"

Norifumi Fujimura，“通过电解控制 Pt 阴极上 ZnO 外延沉积的局部 pH 值”

• 发表时间: 2012
• 期刊: Electrochimica Acta
• 影响因子: 6.6
• 作者: Shunsuke Yagi;Yusuke Kondo;Yuichi Satake;Atsushi Ashida
• 通讯作者: Atsushi Ashida

電気化学成長 Cu2O 薄膜における結晶性の電解液 pH 依存性

电化学生长 Cu2O 薄膜中结晶度对电解质 pH 的依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: 佐藤俊祐;芦田 淳;吉村 武;藤村紀文
• 通讯作者: 藤村紀文

Nano-sized nucleus formation and growth of ZnO crystals by the electrochemical process

电化学过程中纳米核的形成和 ZnO 晶体的生长

• 发表时间: 2012
• 作者: A. Ashida;N. Nouzu;Y. Kondo;T. Yoshimura;N. Fujimura
• 通讯作者: N. Fujimura

成長初期層制御による電気化学堆積 ZnO 連続薄膜の作製

控制初始生长层电化学沉积ZnO连续薄膜的制备

• 发表时间: 2011
• 作者: 能津直哉;近藤雄祐;芦田 淳;吉村 武;藤村紀文
• 通讯作者: 藤村紀文

ZnO thin films grown by electrochemical deposition method with pulsed electrolytic current and its electrical conductivity

脉冲电解电流电化学沉积法生长的ZnO薄膜及其电导率

• 发表时间: 2010
• 作者: A.Ashida;T.Okuma;T.Nagata;N.Fujimura
• 通讯作者: N.Fujimura