ZnO films grown by electrochemical method with pulsed current on Si substrate for solar cell applications
ZnO films grown by electrochemical method with pulsed current on Si substrate for solar cell applications
用于太阳能电池应用的硅衬底上采用脉冲电流电化学方法生长的 ZnO 薄膜
批准号：
18550181
负责人：
ASHIDA Atsushi
金额：
$2.71万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
中文摘要
翻译
本研究では、まず金属基板上で電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の成長条件を詳細に検討した。また電気伝導特性評価のため、極薄の酸化亜鉛上に成長させた。供給する電流をパルス化することで伝導特性が変化した。この原因として溶液中での再溶解による欠陥生成の抑制が考えられる。これらの結果を基に成長条件を検討し、(100)および(111)Si基板上に多結晶酸化亜鉛薄膜を得ることに成功した。
英文摘要
本研究では、まず金属基板上で電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の成長条件を詳細に検討した。また電気伝導特性評価のため、極薄の酸化亜鉛上に成長させた。供給する電流をパルス化することで伝導特性が変化した。この原因として溶液中での再溶解による欠陥生成の抑制が考えられる。これらの結果を基に成長条件を検討し、(100)および(111)Si基板上に多結晶酸化亜鉛薄膜を得ることに成功した。
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DOI：
10.1016/j.tsf.2008.09.006
发表时间：
2008-12
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[A. Ashida;Akio Fujita;Y. Shim;K. Wakita;A. Nakahira]
通讯作者：
A. Ashida;Akio Fujita;Y. Shim;K. Wakita;A. Nakahira
電気化学的堆積法による多結晶Au基板上ZnO薄膜の結晶形態制御
电化学沉积法控制多晶金基片上 ZnO 薄膜的晶体形貌
电化学沉积法控制多晶金基片上 ZnO 薄膜的晶体形貌
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[芦田淳, 藤田章雄, 先山晴香, 吉村武, 藤村紀文, 中平敦]
通讯作者：
中平敦
ZnO Thin Films Prepared by Electrochemical Deposition Method with Pulsed Electrolytic Current
脉冲电解电流电化学沉积法制备ZnO薄膜
脉冲电解电流电化学沉积法制备ZnO薄膜
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Ashida, T. Okuma and T. Nagata]
通讯作者：
T. Okuma and T. Nagata
電気化学堆積法によるCNT上ZnOナノ結晶の作製
电化学沉积法在CNTs上制备ZnO纳米晶
电化学沉积法在CNTs上制备ZnO纳米晶
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[先山晴香, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文]
通讯作者：
藤村紀文
CNTを用いたZnOナノ結晶の電気化学的成長
使用 CNT 电化学生长 ZnO 纳米晶体
使用 CNT 电化学生长 ZnO 纳米晶体
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[先山晴香, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文]
通讯作者：
藤村紀文
共 16 条
Fabrication of the hetero-junction solar cell by electrochemical process and improvement of the conversion efficiency
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批准号：26420682
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2014
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负责人：ASHIDA Atsushi
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依托单位：
Preparation and photovoltaic application of oxide thin films withlow defect concentration by aqueous electrochemical process
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批准号：22550164
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2010
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负责人：ASHIDA Atsushi
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依托单位：
海外基金