Analysis of CAtalyst-Referred etching by means of first-principles calculations

通过第一性原理计算分析 Catalyst-Referred 蚀刻

• 批准号: 22560110
• 负责人: INAGAKI Kouji
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560110/
• 关键词: 超精密加工; 触媒援用加工法; ワイドバンドギャップ半導体; SiC; GaN; エッチング; 第一原理計算; 触媒援用加工; 解離吸着; 触媒; 反応バリア; 触媒援用化学エッチング; CARE; Pt; HF; 第一原理分子動力学シミュレーション; 活性化エネルギー; NEB法

In this research, based on first-principles molecular-dynamicscalculation, SiC and GaN etching by highly-concentrated HF solution and pure water are analyzed, respectively. In both cases, dissociative adsorption reactions are simulated as an initial key stage of etching reaction. Reaction barriers for the dissociative adsorption of HF molecule on Platinum surface are clarified to be important to reduce barrier.

本研究基于第一性原理分子动力学计算，分别分析了高浓度HF溶液和纯水对SiC和GaN的刻蚀。在这两种情况下，解离吸附反应模拟作为蚀刻反应的初始关键阶段。阐明了HF分子在铂表面解离吸附的反应势垒对降低反应势垒的重要性。

项目成果

First-Principles Analysis of CARE Process of SiC

SiC CARE 工艺的第一性原理分析

• 发表时间: 2012
• 作者: W. Ohsone;J. Shimizu;L. Zhou;H. Ojima;T. Onuki;T. Yamamoto;H. Huang;M Oue;K. Inagaki;D. Hirose
• 通讯作者: D. Hirose

Pt触媒を用いた水分子によるGaN表面エッチング現象初期過程の第一原理計算による解明

利用第一性原理计算阐明使用 Pt 催化剂的水分子对 GaN 表面蚀刻现象的初始过程

• 发表时间: 2012
• 作者: 大上まり;稲垣耕司;山内和人;森川良忠
• 通讯作者: 森川良忠

HラジカルによるSi表面プラズマェッチングにおける表面H拡散の役割

表面氢扩散在氢自由基硅表面等离子体蚀刻中的作用

• 发表时间: 2012
• 作者: 稲垣耕司;森川良忠;安武潔
• 通讯作者: 安武潔

First-Principles study of electron transfer from 4H-SiC(0001) to Pt

4H-SiC(0001)到Pt电子转移的第一性原理研究

• 发表时间: 2010
• 作者: S.Iseki;K.Inagaki;K.Yamauchi;Y.Morikawa
• 通讯作者: Y.Morikawa

An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma

使用常压 VHF 等离子体在低温下原子控制的 Si 薄膜形成工艺

• DOI: 10.1088/0953-8984/23/39/394205
• 发表时间: 2011
• 期刊: J. Phys.: Condens. Matter
• 作者: K. Yasutake;H. Kakiuchi;H. Ohmi;K. Inagaki;Y. Oshikane and M. Nakano
• 通讯作者: Y. Oshikane and M. Nakano