Analysis of CAtalyst-Referred etching by means of first-principles calculations
Analysis of CAtalyst-Referred etching by means of first-principles calculations
通过第一性原理计算分析 Catalyst-Referred 蚀刻
批准号：
22560110
负责人：
INAGAKI Kouji
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
中文摘要
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英文摘要
In this research, based on first-principles molecular-dynamicscalculation, SiC and GaN etching by highly-concentrated HF solution and pure water are analyzed, respectively. In both cases, dissociative adsorption reactions are simulated as an initial key stage of etching reaction. Reaction barriers for the dissociative adsorption of HF molecule on Platinum surface are clarified to be important to reduce barrier.
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First-Principles Analysis of CARE Process of SiC
SiC CARE 工艺的第一性原理分析
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DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[W. Ohsone, J. Shimizu, L. Zhou, H. Ojima, T. Onuki, T. Yamamoto, H. Huang, M Oue, K. Inagaki, D. Hirose]
通讯作者：
D. Hirose
Pt触媒を用いた水分子によるGaN表面エッチング現象初期過程の第一原理計算による解明
利用第一性原理计算阐明使用 Pt 催化剂的水分子对 GaN 表面蚀刻现象的初始过程
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DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大上まり, 稲垣耕司, 山内和人, 森川良忠]
通讯作者：
森川良忠
HラジカルによるSi表面プラズマェッチングにおける表面H拡散の役割
表面氢扩散在氢自由基硅表面等离子体蚀刻中的作用
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DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣耕司, 森川良忠, 安武潔]
通讯作者：
安武潔
First-Principles study of electron transfer from 4H-SiC(0001) to Pt
4H-SiC(0001)到Pt电子转移的第一性原理研究
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DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Iseki, K.Inagaki, K.Yamauchi, Y.Morikawa]
通讯作者：
Y.Morikawa
An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma
使用常压 VHF 等离子体在低温下原子控制的 Si 薄膜形成工艺
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DOI：
10.1088/0953-8984/23/39/394205
发表时间：
2011
期刊：
J. Phys.: Condens. Matter
影响因子：
--
作者：
[K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano]
通讯作者：
Y. Oshikane and M. Nakano
共 29 条