Study on High-Temperature and High-Frequency Electronic Devices

高温高频电子器件研究

• 批准号: 22560327
• 负责人: KUZUHARA Masaaki
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: University of Fukui
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560327/
• 关键词: 電子デバイス; 集積回路; 電子デバイス・電子機器; 電子デバイス・集積回路; GaN; MIS; FET; HEMT; 絶縁膜; 窒化物半導体; トランジスタ

AlGaN/GaN MISHEMTs with various dielectric materials, such as SiN, Al_2O_3, HfO_2, and ZrO_2, have been fabricated for stable high temperature operation. The ZrO_2/Al_2O_3dual dielectric film MISHEMT exhibited a gate leakage current of 1x10^-10A/mm at room temperature, which was about 3 orders of magnitude lower than that for the Schottky-gated AlGaN/GaN HEMT. The amount of increse in the gate leakage current from RT to 300 ℃ for the ZrO_2/Al_2O_3dual dielectric film MISHEMT was the lowest among devices fabricated in this work. These results indicate that the proposed ZrO_2/Al_2O_3dual dielectric film MISHEMT is promising for reducing the gate leakage current at high temperatures.

采用SiN、Al_2O_3、HfO_2和ZrO_2等不同的介质材料制备了AlGaN/GaNMISHEMT器件，以实现稳定的高温工作。ZrO_2/Al_2O_3双介质膜MISHEMT在室温下的栅漏电流为1 × 10 ~（-10）A/mm，比肖特基栅AlGaN/GaN HEMT的栅漏电流低3个数量级。ZrO_2/Al_2O_3双介质膜MISHEMT的栅漏电流从室温到300 ℃的增加量是本工作中所制备的器件中最小的。这些结果表明，所提出的ZrO_2/Al_2O_3双介质膜MISHEMT在降低高温下的栅漏电流方面是有希望的。

项目成果

Comparative high-temperature DC characterization of HEMTs with GaN and AlGaN channel layers

具有 GaN 和 AlGaN 沟道层的 HEMT 的高温直流特性对比

• 发表时间: 2010
• 作者: M. Hatano;N. Kunishio;H. Chikaoka;J. Yamazaki;Z. B. Makhzani;N. Yafune;K. Sakuno;S. Hashimoto;K. Akita;Y. Yamamoto;M. Kuzuhara
• 通讯作者: M. Kuzuhara

AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価

AlGaN 沟道 HEMT 的高温特性

• 发表时间: 2012
• 作者: 畑野舞子;他
• 通讯作者: 他

Superior DC and RF Performance of AlGaN-Channel HEMT at High Temperatures

AlGaN 沟道 HEMT 在高温下具有卓越的直流和射频性能

• DOI: 10.1587/transele.e95.c.1332
• 发表时间: 2012
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics
• 影响因子: 0.5
• 作者: T. Iwasugi;M. Mori;H. Igarashi;K. Murata;M. Saito;K. Maezawa;野坂陽一;辻田和真,山口利幸,新山茂利,今西敏 人;Maiko Hatano
• 通讯作者: Maiko Hatano

GaN-based electronics

GaN基电子产品

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Ito;A. Kadoda;K. Nakayama;Y. Yasui;M. Mori;K. Maezawa;E. Miyazaki;T. Mizutani;Masaaki Kuzuhara
• 通讯作者: Masaaki Kuzuhara

High-temperature RF characterization of AlGaN-channel HEMTs

AlGaN 通道 HEMT 的高温射频表征

• 发表时间: 2011
• 作者: M.Hatano;et al
• 通讯作者: et al