Theoretical study on an electric filed effect of magneto-crystalline anisotropy of Ferromagnetic-metal/Semiconductor interfaces

铁磁-金属/半导体界面磁晶各向异性电场效应的理论研究

• 批准号: 22760003
• 负责人: MIURA Yoshio
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760003/
• 关键词: スピントロニクス; 磁気異方性; 第一原理計算; ヘテロ界面; 不揮発メモリ; 電界効果; 界面磁性; 電子状態

We investigate and discuss the magneto-crystalline anisotropy (MCA)of Fe(13-layer)/GaAs(001)interface. Purpose of this work is theoretical design of the highly spin-polarized spin injection devices into the non-magnetic semiconductor with perpendicular magnetization. We obtained perpendicular MCA both for As and Ga terminations. MCA energies are 0. 898 [mJ/m^2] for As termination and 0. 469 [mJ/m^2] for Ga termination. However, due to the large demagnetizing filed energy of Fe-layer, the thin Fe-layer less than 1nm will be needed to obtain the perpendicular magnetization at the Fe/GaAs interface.

研究和讨论了Fe（13层）/GaAs（001）界面的磁晶各向异性。本工作的目的是在垂直磁化的非磁性半导体中设计高自旋极化的自旋注入器件。我们获得了As和Ga终端的垂直MCA。MCA能量为0。898 [mJ/m^2]（As终止）和0. 469 [mJ/m^2]用于Ga终止。但由于Fe层的退磁场能量很大，要在Fe/GaAs界面获得垂直磁化，需要厚度小于1 nm的Fe层。

项目成果

First principles study of interface magnetic anisotropy between transition metal nitride (carbide) and Fe (001)

过渡金属氮化物（碳化物）与Fe（001）界面磁各向异性的第一性原理研究

• 发表时间: 2012
• 作者: M.Tsujikawa;et al
• 通讯作者: et al

Pressure-induced half-metallic gap transformation in Co_2MnSi observed by tunneling conductance spectroscopy

隧道电导光谱观察Co_2MnSi中压力诱导的半金属带隙转变

• 发表时间: 2011
• 期刊: Phys.Rev.B
• 作者: 林幹大;坂本良太;利光史行;久米晶子;西原寛;M.Nobori
• 通讯作者: M.Nobori

L10-FeNiおよびFeNi多層膜の結晶磁気異方性の第一原理計算

L10-FeNi和FeNi多层薄膜磁晶各向异性的第一性原理计算

• 发表时间: 2011
• 作者: 松本卓也;平野義明;三浦良雄
• 通讯作者: 三浦良雄

Fe/MgO(001)界面における磁気異方性の第一原理計算

Fe/MgO(001)界面磁各向异性的第一性原理计算

• 发表时间: 2011
• 作者: 森大樹;他
• 通讯作者: 他

Co_2FeAl/MgO界面における磁気異方性の第一原理計算

Co_2FeAl/MgO界面磁各向异性的第一性原理计算

• 发表时间: 2012
• 作者: 森大樹;他
• 通讯作者: 他