Biosensors based on graphene field-effect transistors

基于石墨烯场效应晶体管的生物传感器

基本信息

  • 批准号:
    22760541
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Biosensing applications based on graphene field-effect transistors were investigated. Solution pH can be detected with the resolution of 0. 025 using the graphene devices. Although the antibodies cannot be used for FET-based biosensors due to the thickness of the electrical double layer, we applied the aptamer and fragment antigen-binding. The results show that the graphene field-effect transistors have high potentials for the biosensors.
研究了基于石墨烯场效应晶体管的生物传感应用。可检测溶液pH值,分辨率为0。025使用石墨烯器件。虽然由于双电层的厚度,抗体不能用于基于fet的生物传感器,但我们应用了适体和片段抗原结合。结果表明,石墨烯场效应晶体管在生物传感器中具有很高的应用潜力。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Physics and Applications of Graphene
石墨烯物理及应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohno;K. Maehashi;and K. Matsumoto;Intech
  • 通讯作者:
    Intech
Label-Free Aptamer-Based Immunoglobulin Sensors Using Graphene Field-Effect Transistors
  • DOI:
    10.1143/jjap.50.070120
  • 发表时间:
    2011-07-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ohno, Yasuhide;Maehashi, Kenzo;Matsumoto, Kazuhiko
  • 通讯作者:
    Matsumoto, Kazuhiko
Chemical-and Bio-sensors Based on Graphene Field-Effect Transistors
基于石墨烯场效应晶体管的化学和生物传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohno;K. Maehashi;and K. Matsumoto;大野恭秀;大野恭秀;Y. Ohno;大野恭秀;Y. Ohno;大野恭秀;大野恭秀;Y. Ohno;大野恭秀;Y. Ohno;Y. Ohno
  • 通讯作者:
    Y. Ohno
Physics and Applications of Graphene - Experiments
  • DOI:
    10.5772/590
  • 发表时间:
    2011-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Mikhailov
  • 通讯作者:
    S. Mikhailov
Immunosensors Based on Graphene Field-Effect Transistors using Antigen-Binding Fragments
基于使用抗原结合片段的石墨烯场效应晶体管的免疫传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Okamoto;Y. Ohno;K. Maehashi;K. Inoue;and K. Matsumoto
  • 通讯作者:
    and K. Matsumoto
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

OHNO Yasuhide其他文献

OHNO Yasuhide的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('OHNO Yasuhide', 18)}}的其他基金

Charge-transfer type graphene-FET biosensors using epitaxial graphene film.
使用外延石墨烯薄膜的电荷转移型石墨烯-FET 生物传感器。
  • 批准号:
    19H02582
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
  • 批准号:
    24KJ1270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
シリコンスピン電界効果トランジスタの高性能化を実現する低界面粗さ構造の創製
创建低界面粗糙度结构,提高硅自旋场效应晶体管的性能
  • 批准号:
    24K17326
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
絶縁窒化アルミニウムのp型伝導機構発現の解明とpチャネル電界効果トランジスタ応用
绝缘氮化铝p型导电机理的阐明及其在p沟道场效应晶体管中的应用
  • 批准号:
    24K17305
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
  • 批准号:
    23K26167
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機金属構造体を賦与した有機電界効果トランジスタ型ガスセンサの開発
具有有机金属结构的有机场效应晶体管型气体传感器的研制
  • 批准号:
    23KJ0785
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
  • 批准号:
    23H01473
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
炭化珪素接合型電界効果トランジスタによる相補型論理とアナログ回路の高温動作実証
使用碳化硅结场效应晶体管演示互补逻辑和模拟电路的高温运行
  • 批准号:
    22KJ2013
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
マルチゲート構造を持つ超伝導電界効果トランジスタの研究
多栅极结构超导场效应晶体管的研究
  • 批准号:
    21K04145
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Active controll of the magnetization damping by electric field effect in magnetic metal
磁性金属中电场效应主动控制磁化阻尼
  • 批准号:
    19K15437
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Electric field effect on magnetic interactions in ultrathin transition-metal films
电场对超薄过渡金属薄膜磁相互作用的影响
  • 批准号:
    414321830
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了