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有機半導体薄膜におけるTHz光電物性の探索とTHzイメージング素子への応用

有机半导体薄膜太赫兹光电特性探索及其在太赫兹成像器件中的应用

基本信息

批准号：
11J56142
负责人：
李世光
金额：
$ 0.83万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的、OFETを利用したTHzセンサの検出原理は、(1)ポテンシャルゆらぎの谷底に緩く束縛されているホールにTHz波を照射する。すると、ホールはTHzフォトンからエネルギーを受けてキャリア障壁を乗り越える。(2)ペンタセンOFETのソース・ドレイン間の電界により、THz照射で乗り越えたホールがドリフトし、出力電流の増加として検出される。という2つの過程に分けることができる。今年度は、(1)の段階として、有機半導体中のチャネル部に誘起されたキャリアによるTHz帯吸収スペクトルを詳しく調べる研究を完成させた。(1)の段階結果について、OFETの有機層中に電界誘起された自由ホールによる明確なTHz帯吸収スペクトルを得ることに世界で初めて成功している。得られたスペクトルの形状は、測定された0.2～2.0THzの範囲においてフォトンエネルギーが増加するに従って緩やかに増加しており、単純なDrude-Lorentzモデルでは説明が付かない。このようなスペクトル解析によってOFET中の自由キャリアがおかれたポテンシャル環境を調べることができるという点で、新たな物性評価手段としても興味深い結果である。さらに、THz波の総吸収量が電界効果移動度によらずOFET中の自由キャリア量に比例することも示した。この結果は、OFETチャネル部に誘起されたキャリアが確実にTHzフォトンのエネルギーを吸収していることを表すものである。これらの成果に関して、原著論文1報の他、国際会議でも積極的に発表しており、十分な成果であると認められる。

The purpose of this study is to detect THz waves using OFET, which includes: (1) THz wave irradiation The THz barrier is not easy to overcome. (2)The electrical field between the OFET and THz irradiation is increased, and the output current is increased. 2. The process is divided into two parts. This year, the research on the phase transition of organic semiconductors has been completed. (1)As a result of this step, the OFET's organic layer is electrically induced into the free zone, and the THz absorption zone is clearly induced into the free zone. The shape of the sample was measured in the range of 0.2~ 2.0 THz. The sample size was measured in the range of 0.2~ 2.0 THz. A new property evaluation method is proposed for OFET. The total absorption of THz waves in the OFET is proportional to the movement of the electric field. The results are as follows: OFET's life cycle is not stable, THz's life cycle is stable, and OFET's life cycle is stable. The results of the original paper are reported to him, and the international conference is very positive.