Control of quantum transport in atomic-scale graphene devices

原子级石墨烯器件中量子传输的控制

• 批准号: 22656024
• 负责人: MORIYAMA Satoshi
• 金额: $ 2.26万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656024/
• 关键词: グラフェン; ナノ微細加工; 化学修飾

We try to develop new fabrication process that combines the top-down nanofabrication and organic synthesis to control the edge of graphene sheets by chemical modification. Through advances in fabrication and characterization building on our fusion research, it may become possible to make quantum nanoedevices so small that they approach the molecular scale. In this research, we present a selective oxidation method that functionalizes only the edges of graphene sheets. Our experimental results are important step toward the control of edge structures in graphene. We will apply the chemical modification to the device fabrication process as a future work.

我们试图将自上而下的纳米制造与有机合成相结合，通过化学修饰来控制石墨烯片的边缘。通过我们在核聚变研究基础上的制造和表征方面的进步，有可能使量子纳米器件小到接近分子尺度。在这项研究中，我们提出了一种选择性氧化方法，只功能化石墨烯片的边缘。我们的实验结果是石墨烯边缘结构控制的重要一步。我们将把化学改性应用到器件的制造过程中，作为未来的工作。

项目成果

グラフェンの基礎と応用

石墨烯的基础与应用

• 发表时间: 2010
• 作者: Keiji Yamashita;Tomohiro Yendo;Mehrdad P.Tehrani;Toshiaki Fujii;Masayuki Tanimoto;森山悟士
• 通讯作者: 森山悟士

Quantum dots and nanostructures in graphene, ISNTT2011

石墨烯中的量子点和纳米结构，ISNTT2011

• 发表时间: 2011
• 作者: S. Moriyama;D. Tsuya;E. Watanabe;S. Uji;M. Shimizu;and K. Ishibashi
• 通讯作者: and K. Ishibashi

2010グラフェンの基礎と応用徹底解説

2010年 深入讲解石墨烯的基础知识和应用

• 发表时间: 2010
• 作者: Yamato Sasaki;Hiroyuki Itoh;Naokazu Murata;Ken Suzuki;Hideo Miura;森山悟士
• 通讯作者: 森山悟士

Fabrication of quantum dots and nanostructures in graphene

石墨烯中量子点和纳米结构的制造

• 发表时间: 2011
• 作者: S. Bevilacqua;S. Cherednichenko;V. Drakinskiy;J. Stake;H. Shibata;Y. Tokura;S. Moriyama
• 通讯作者: S. Moriyama

2011グラフェンの基礎と応用

2011 石墨烯基础知识与应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 勝俣翠;松永翔雲;夏井雅典;羽生貴弘;森山悟士
• 通讯作者: 森山悟士