Development of multi-phase bonding for wafer level processing of 3D system in package

开发用于封装 3D 系统晶圆级加工的多相键合

• 批准号: 22656083
• 负责人: FUJIMOTO Kouzou
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656083/
• 关键词: 低温接合; 銅; 高融点金属間化合物; マイクロ接合; 低融点金属; 固液反応; カーケンダルボイド; 偏析; Zn添加; 三次元ウェハレベル実装; マルチフェイズ接合; 3次元実装; MEMS実装; 多層薄膜; 信頼性

Recently, high performance copper joint is really needed to be used at high temperature with increasing demand in high density packaging technology. The bonding process must be carried out less than 300°C. In the present study, Cu and Sn were interlaminated at the faying surface, which produced multi-phases interlayer during the bonding process. The conclusive bond layer consisted of Cu3Sn which is high melting point intermetallic compound. Moreover, the voids could be reduced by addition of tiny bit of zinc.

近年来，随着高密度封装技术的发展，对高性能铜接头的要求越来越高。粘合过程必须在低于300°C的温度下进行。在本研究中，Cu和Sn在接合面处发生了层间反应，在接合过程中产生了多相过渡层。最终的结合层由高熔点金属间化合物Cu3Sn组成。此外，通过添加少量的锌可以减少空隙。

项目成果

低融点蒸着膜インサートを用いたSi半導体チップ電極への銅リードの接合

使用低熔点气相沉积薄膜插件将铜引线键合到硅半导体芯片电极

• 发表时间: 2011
• 作者: 藤本高志;福本信次;宮崎高彰;松嶋道也;塩谷景一;加柴良裕;藤本公三
• 通讯作者: 藤本公三

Pbフリーはんだダイボンド部の冷熱衝撃サイクル試験における信頼性評価

无铅焊料芯片接合件热冲击循环试验的可靠性评估

• 发表时间: 2011
• 期刊: 第17回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集
• 作者: 西岡智志;藤本公三
• 通讯作者: 藤本公三

Cu/Sn多層薄膜の固液反応を利用した電子デバイスの電極接合

利用Cu/Sn多层薄膜固液反应进行电子器件的电极键合

• 发表时间: 2011
• 期刊: マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
• 作者: 宮崎高彰;藤本公三
• 通讯作者: 藤本公三

Cu/ Sn多層薄膜の固液反応を利用した電子デバイスの電極接合

利用Cu/Sn多层薄膜固液反应进行电子器件的电极键合

• 发表时间: 2010
• 期刊: 第20回マイクロエレクトロニクスシンポジウム講演論文集(MES2010)
• 作者: 宮崎高彰;田中篤志;松嶋道也;福本信次;藤本公三
• 通讯作者: 藤本公三

Bonding of copper to silicon chips using vapor-deposited tin film

使用气相沉积锡膜将铜与硅芯片粘合

• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Physics
• 作者: T. Fujimoto;S. Fukumoto;T. Miyazaki;Y. Kashiba;K. Shiotani;K. Fujimoto
• 通讯作者: K. Fujimoto