Fabrication of single-atom devices by single-atom doping method

单原子掺杂法制备单原子器件

• 批准号: 22681020
• 负责人: SHINADA Takahiro
• 金额: $ 14.06万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2012)Waseda University (2010-2011)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22681020/
• 关键词: 単一原子デバイス; 単一ドーパントデバイス; 単一原子ドーピング法; ドーピング; イオン注入; 集束イオンビーム; シリコンデバイス; 量子デバイス

The true potential of semiconductors, the basic material in transistors, has been realized by adding dopants to tailor their electronic properties; this has conventionally been achieved through a doping process. In the immediate future, scaled-down transi

半导体（晶体管的基本材料）的真正潜力是通过添加掺杂剂来调整其电子特性而实现的;这通常是通过掺杂工艺实现的。在不久的将来，规模缩小的过境

项目成果

Reduction of threshold voltage fluctuation in field-effect transistors by controlling individual dopant position

• DOI: 10.1063/1.4733289
• 发表时间: 2012-07
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: M. Hori;K. Taira;Akira Komatsubara;K. Kumagai;Y. Ono;T. Tanii;T. Endoh;T. Shinada

Deterministic doping to Si and diamond for nanoelectronics

用于纳米电子学的硅和金刚石的确定性掺杂

• 发表时间: 2012
• 作者: 田中嘉人;石黒裕康;藤原英樹;上野貢生;三澤弘明;笹木敬司;T. Shinada
• 通讯作者: T. Shinada

イオン注入方法

离子注入法

• 发表时间: 2011

Single-Atom Nanoelectronics

单原子纳米电子学

• 发表时间: 2013
• 作者: E. Prati;T. Shinada
• 通讯作者: T. Shinada

ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価

使用掺杂剂位置控制评估场效应晶体管的互导

• 发表时间: 2011
• 作者: 堀匡寛、品田賢宏、遠藤哲郎;他
• 通讯作者: 他