Fabrication of single-atom devices by single-atom doping method
Fabrication of single-atom devices by single-atom doping method
单原子掺杂法制备单原子器件
批准号：
22681020
负责人：
SHINADA Takahiro
金额：
$14.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
中文摘要
翻译
半导体是晶体管中的基本材料，其真正的潜力是通过添加掺杂剂来调整其电子特性而实现的;这通常是通过掺杂工艺实现的。在不久的将来，规模缩小的过境
英文摘要
The true potential of semiconductors, the basic material in transistors, has been realized by adding dopants to tailor their electronic properties; this has conventionally been achieved through a doping process. In the immediate future, scaled-down transi
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1063/1.4733289
发表时间：
2012-07
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[M. Hori;K. Taira;Akira Komatsubara;K. Kumagai;Y. Ono;T. Tanii;T. Endoh;T. Shinada]
通讯作者：
M. Hori;K. Taira;Akira Komatsubara;K. Kumagai;Y. Ono;T. Tanii;T. Endoh;T. Shinada
Deterministic doping to Si and diamond for nanoelectronics
用于纳米电子学的硅和金刚石的确定性掺杂
用于纳米电子学的硅和金刚石的确定性掺杂
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田中嘉人, 石黒裕康, 藤原英樹, 上野貢生, 三澤弘明, 笹木敬司, T. Shinada]
通讯作者：
T. Shinada
イオン注入方法
离子注入法
离子注入法
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Single-Atom Nanoelectronics
单原子纳米电子学
单原子纳米电子学
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[E. Prati, T. Shinada]
通讯作者：
T. Shinada
ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価
使用掺杂剂位置控制评估场效应晶体管的互导
使用掺杂剂位置控制评估场效应晶体管的互导
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[堀匡寛、品田賢宏、遠藤哲郎, 他]
通讯作者：
他
共 38 条
Functional modification of live cells by focused ion beam doping
-
批准号：24651106
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额：$2.58万
-
财政年份：2012
-
负责人：SHINADA Takahiro
-
依托单位：