Atomic layer resolved electronic structure analysis of compound semiconductor by photoelectron diffraction spectroscopy

光电子衍射光谱法分析化合物半导体的原子层分辨电子结构

• 批准号: 22740200
• 负责人: MATSUI Fumihiko
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22740200/
• 关键词: 光電子回折; Auger電子回折; 原子構造; 局所電子状態; 化合物半導体; 放射光・軟X線; 非弾性散乱過程; 表面・界面

Photoelectron diffraction spectroscopy enables non-destructive local atomic and electronic structure analysis owing to the element-and site-selectivity of photoelectron and its angular distribution. We have developed a method to disentangle site-specific photoelectron pattern from different atomic site and studied graphene and its interface between SiC substrate by layer resolved photoelectron patterns. Also, we developed a method for the density of state analysis at each atomic site and applied to the InP and InSb(001) surfaces. Furthermore, we found negative contrast photoelectron diffraction replica in the secondary electron pattern and proposed their origin. Understanding of this phenomenon is essential for the quantitative analysis of photoelectron diffraction.

由于光电子的元素选择性和位点选择性及其角分布，光电子衍射光谱能够实现无损局部原子和电子结构分析。我们开发了一种从不同原子位点解开特定位点光电子图案的方法，并通过层解析光电子图案研究了石墨烯及其 SiC 衬底之间的界面。此外，我们还开发了一种在每个原子位点进行态密度分析的方法，并将其应用于 InP 和 InSb(001) 表面。此外，我们在二次电子图案中发现了负对比光电子衍射复制品，并提出了它们的起源。了解这种现象对于光电子衍射的定量分析至关重要。

项目成果

Fe L3吸収端での円偏光二次元光電子・Auger電子回折-II

Fe L3 吸收边-II 处的圆偏振二维光电子/俄歇电子衍射

• 发表时间: 2011
• 作者: J. Liu;H. Isshiki;K. Katoh;T. Morita;B. K. Breedlove;M. Yamashita;T. Komeda;松井文彦
• 通讯作者: 松井文彦

Site-Specific Stereograph of SiC(0001) Surface by Inverse Matrix Method

逆矩阵法 SiC(0001) 表面特定位点立体图

• 发表时间: 2011
• 期刊: J. Phys. Soc. Jpn
• 作者: F. Matsui;(他9名1番目)
• 通讯作者: (他9名1番目)

Atomic and electronic structure analysis of epitaxial silicon oxynitride thin film on 6H-SiC by two-dimensional photoelectron diffraction spectroscopy

二维光电子衍射光谱分析 6H-SiC 外延氮氧化硅薄膜的原子和电子结构

• 发表时间: 2011
• 作者: N.Maejima;F.Matsui;K.Goto;H.Matsui;M.Hashimoto;T.Matsushita;S.Tanaka;H.Daimon
• 通讯作者: H.Daimon

二次電子角度分布に現れる内殻光電子回折のネガパターン

二次电子角分布中出现的内壳层光电子衍射负图

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Toyofuku;E.Murase;H.Nagai;S.Fujiwara;T.Shin-ike;H.Kuniyasu;N.Kambe;松井文彦
• 通讯作者: 松井文彦

Layer-resolved atomic and electronic structure analysis of graphene on 4H-SiC(0001) by photoelectron diffraction spectroscopy

通过光电子衍射光谱分析 4H-SiC(0001) 上石墨烯的层分辨原子和电子结构

• 发表时间: 2013
• 作者: 高麗正史;佐藤薫;松井公佑;高麗正史;松井公佑;高麗正史;Hirosuke Matsui;高麗正史;松井公佑;高麗正史;Hirosuke Matsui
• 通讯作者: Hirosuke Matsui