Quantum-dot size, nanostructure and low work function Green devices fabricated by precise position control

量子点尺寸、纳米结构和低功函数通过精确位置控制制造的绿色器件

• 批准号: 23360151
• 负责人: NAKAMOTO Masayuki
• 金额: $ 12.81万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360151/
• 关键词: 電子デバイス・機器; 先端機能デバイス; マイクロ・ナノデバイス; 微小電子源; 電力変換

Extremely sharp and uniform nanostructure Transfer Mold FEAs (field emitter arrays) have been developed by using Transfer Mold emitter fabrication method and low work function and environment hard amorphous carbon thin film to realize highly efficient and reliable vacuum nanodevices such as power switching devices and field emission displays (FEDs).Transfer Mold FEAs have the base length, turn-on field and emission current fluctuations of as low as 41 nm,10.2Vpermicron and 1.61%,being compared with 100nm-a few micron,50-600 Vper micron and 5-100% of conventional FEAs. The base length of 41 nm and emission current fluctuations of 1.61% are the lowest values ever reported. Moreover,the emission fluctuations by in-situ radical treatment were as low as 4.5%, being compared with 5-100% for conventional FEAs with resistive layers with no oxidizing atmosphere.

非常尖锐和均匀的纳米结构传递模塑FEAs已经通过使用传递模塑发射器制造方法和低功函数和环境硬的非晶碳薄膜开发了场发射器阵列（Field Emitter Array），以实现高效和可靠的真空纳米器件，例如功率开关器件和场发射显示器（FED）。传递模塑FEAs具有基极长度，开启场和发射电流的波动分别为41 nm、10.2V/μ m和1.61%，而传统的100 nm-几μ m、50-600 V/μ m和5-100%的FEAs器件的开启场和发射电流波动分别为100 nm-几μ m和50 -600 V/μ m。基区长度为41 nm，发射电流波动为1.61%，是有史以来报道的最低值。此外，通过原位自由基处理的发射波动低至4.5%，相比之下，具有电阻层的常规FEAs在没有氧化气氛的情况下的发射波动为5-100%。

项目成果

Environment-hard Vacuum Nanoelectric Devices for Green

绿色环保真空纳米电器件

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Nakamoto;J. Moon
• 通讯作者: J. Moon

Extremely stable and harsh environment nano devices

极其稳定和恶劣环境的纳米器件

• 发表时间: 2013
• 期刊: Proc. of The 7th International Nanotechnology/MEMS Seminar (INMS2013)
• 作者: M. Nakamoto;J. Moon
• 通讯作者: J. Moon

The Recent Technical Trend of Vacuum Nanotechnogy for Displays

显示器真空纳米技术的最新技术趋势

• 发表时间: 2011
• 期刊: Proc.of 31^<st> International Display Research Conference (IDRC'11), Eurodisplay 2011
• 作者: Awinash Anand;Y. Esaki;H. Jia;K. Kanaya;R. K. Pokharel;and S. Tanaka;Masayuki Nakamoto
• 通讯作者: Masayuki Nakamoto

High Aspect Ratio, Position Controlled Transfer Mold Carbon Nanotube Field Emitter Arrays, Eurodisplay 2013

高纵横比、位置控制传递模碳纳米管场发射器阵列，Eurodisplay 2013

• 发表时间: 2013
• 作者: Y.Kasatani;et al;M. Nakamoto
• 通讯作者: M. Nakamoto

耐環境性転写モールド法極微小アモルファスカーボンエミッタアレイの電界電子放出特性

采用耐环境传递模塑法的超小型非晶碳发射器阵列的场发射特性

• 发表时间: 2013
• 作者: 中本 正幸;文 宗鉉
• 通讯作者: 文 宗鉉