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Nano-structure devices fabricated by precise position and growth control of carbon nanotubes

Nano-structure devices fabricated by precise position and growth control of carbon nanotubes
通过碳纳米管精确定位和生长控制制备纳米结构器件
批准号：
19360160
负责人：
NAKAMOTO Masayuki
金额：
$11.73万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360160/
关键词：
カーボンナノチューブNEMS微小電子源真空ナノエレクトロニクスディスプレイFED電界放出電子源真空ナノパワースイッチングデバイスCNT

项目摘要

项目成果

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エミッタ材料選択性が極めて高く、先鋭で均一なエミッタ作製法である独自の転写モールド法とカーボンナノチューブ(CNT)作製技術との融合により、CNTをエミッタ先端のNi触媒部分に成長させ、従来のアスペクト比0.71、Turn-on電界14.9V/μmと比較して、アスペクト比0.93、12.5V/μmと、それぞれ、31%及び16%も向上した超精密位置・成長制御された転写モールド法CNT微小電子源の開発に成功した。
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会议论文
Nanometer-order base length, sharp and uniform field emitter arrays fabrication by transfer mold method
采用传递模塑法制造纳米级基极长度、锐利均匀的场发射体阵列
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [中本正幸, et al.]
通讯作者： et al.
FEDとMEMSディスプレイ
FED 和 MEMS 显示
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [Jonghyun Moon, Masayuki Nakamoto, 中本 正幸, 中本正幸, 中本 正幸]
通讯作者： 中本 正幸
"FEDの原理と構造", 薄膜ハンドブック(第2版)、日本学術振興会薄膜第131委員会編
日本学术振兴会第131届薄膜委员会编《FED的原理与结构》薄膜手册（第2版）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Jonghyun Moon, Masayuki Nakamoto, 中本 正幸, 中本正幸, 中本 正幸, Jong Hyun Moon, M. Nakamoto, M. Nakamoto, 中本正幸, 中本 正幸]
通讯作者： 中本 正幸
Field Emission Displays "From Vacuum Tube to Vacuum Nanoelectronics
场发射显示器“从真空管到真空纳米电子学”
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： J. the Institute of Electronics, Information and Communication 93, No. 1
影响因子： --
作者： [M. Hughes, T. Suzuki, Y. Ohishi, Masayuki Nakamoto]
通讯作者： Masayuki Nakamoto
共 49 条
    Quantum-dot size, nanostructure and low work function Green devices fabricated by precise position control
    • 批准号：
      23360151
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.81万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      NAKAMOTO Masayuki
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    国内基金
    海外基金
    基于概率化失效准则的多晶MEMS/NEMS结构断裂可靠度研究
    • 批准号：
      JCZRQN202500559
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      武汉工程大学
    M/NEMS忆容振荡器的等效建模与动力学演化及多稳态调控研究
    • 批准号：
      62301085
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      陈蓓
    • 依托单位：
      常州大学
    面向新型信息处理器件的可集成碳基NEMS研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      57万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      王新河
    • 依托单位：
      北京航空航天大学
    基于热压阻NEMS谐振器的单芯片射频前端基础器件研究
    • 批准号：
      52075519
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      58.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      赵永梅
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所