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シリコン上縦型発光素子を目指した導電性バッファ層上窒化物薄膜の高品質化

シリコン上縦型発光素子を目指した導電性バッファ層上窒化物薄膜の高品質化
提高硅上垂直发光器件导电缓冲层上氮化物薄膜的质量
批准号：
23360320
负责人：
高村 由起子
金额：
$4.16万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360320/
关键词：

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Creation of 2D flat band materials through concerted experimental and theoretical studies
第一原理計算によるグラフェンを超える二次元材料の研究
超高真空ノンコンタクト原子間力顕微鏡によるダイヤモンド表面の研究
気相からの立方晶窒化ホウ素エピタキシャル成長に関する研究
  • 批准号：
    15760534
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    高村 由起子
  • 依托单位：
    Tohoku University