Quantum transport in disordered topological insulators

无序拓扑绝缘体中的量子传输

• 批准号: 23540376
• 负责人: OHTSUKI Tomi
• 金额: $ 3.58万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-28 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23540376/
• 关键词: トポロジカル絶縁体; Dirac半金属; ワイル半金属; 状態密度; スケーリング; 臨界指数; 相図; 半金属金属転移; アンダーソン転移; スケーリング理論; 薄膜; 表面ランダムネス; Dirac電子; Anderson転移; ランダムネス; アンダーソン局在; 量子ホール効果; 量子スピンホール効果; 国際研究者交流

项目成果

Density of States Scaling at the Semimetal to Metal Transition in Three Dimensional Topological Insulators

• DOI: 10.1103/physrevlett.112.016402
• 发表时间: 2014-01-07
• 期刊: PHYSICAL REVIEW LETTERS
• 影响因子: 8.6
• 作者: Kobayashi, Koji;Ohtsuki, Tomi;Herbut, Igor F.
• 通讯作者: Herbut, Igor F.

Near-field optical imaging of light localization in GaN nanocolumn system

GaN纳米柱系统中光定位的近场光学成像

• DOI: 10.7567/jjap.53.030301
• 发表时间: 2014
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: M. Sakai;Y. Inose;T. Ohtsuki;K. Ema;K. Kishino;T. Saiki
• 通讯作者: T. Saiki

Critical Exponent for the Quantum Spin Hall Transition in Z 2 Network Model

Z 2 网络模型中量子自旋霍尔跃迁的临界指数

• DOI: 10.1142/9789814436861_0013
• 发表时间: 2013
• 作者: Koji M. Kobayashi;T. Ohtsuki;K. Slevin
• 通讯作者: K. Slevin

Finite-size energy gap in weak and strong topological insulators

• DOI: 10.1103/physrevb.86.245436
• 发表时间: 2012-12-28
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Imura, Ken-Ichiro;Okamoto, Mayuko;Ohtsuki, Tomi
• 通讯作者: Ohtsuki, Tomi