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Quantum transport in disordered topological insulators

Quantum transport in disordered topological insulators
无序拓扑绝缘体中的量子传输
批准号：
23540376
负责人：
OHTSUKI Tomi
金额：
$3.58万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-28 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23540376/
关键词：
トポロジカル絶縁体Dirac半金属ワイル半金属状態密度スケーリング臨界指数相図半金属金属転移アンダーソン転移スケーリング理論薄膜表面ランダムネスDirac電子Anderson転移ランダムネスアンダーソン局在量子ホール効果量子スピンホール効果国際研究者交流

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Density of States Scaling at the Semimetal to Metal Transition in Three Dimensional Topological Insulators
DOI： 10.1103/physrevlett.112.016402
发表时间： 2014-01-07
期刊： PHYSICAL REVIEW LETTERS
影响因子： 8.6
作者： [Kobayashi, Koji, Ohtsuki, Tomi, Herbut, Igor F.]
通讯作者： Herbut, Igor F.
Near-field optical imaging of light localization in GaN nanocolumn system
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DOI： 10.7567/jjap.53.030301
发表时间： 2014
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [M. Sakai, Y. Inose, T. Ohtsuki, K. Ema, K. Kishino, T. Saiki]
通讯作者： T. Saiki
Critical Exponent for the Quantum Spin Hall Transition in Z 2 Network Model
Z 2 网络模型中量子自旋霍尔跃迁的临界指数
DOI： 10.1142/9789814436861_0013
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Koji M. Kobayashi, T. Ohtsuki, K. Slevin]
通讯作者： K. Slevin
Finite-size energy gap in weak and strong topological insulators
DOI： 10.1103/physrevb.86.245436
发表时间： 2012-12-28
期刊： PHYSICAL REVIEW B
影响因子： 3.7
作者： [Imura, Ken-Ichiro, Okamoto, Mayuko, Ohtsuki, Tomi]
通讯作者： Ohtsuki, Tomi
Universal properties of quantum network models
  • 批准号：
    18540382
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.64万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    OHTSUKI Tomi
  • 依托单位：
    Sophia University
Numerical study of dephasing in disordered electron systems
  • 批准号：
    14540363
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.98万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    OHTSUKI Tomi
  • 依托单位：
    Sophia University
Anderson transition in interacting electron systems
  • 批准号：
    11640381
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    OHTSUKI Tomi
  • 依托单位：
    Sophia University
国内基金
理想Dirac半金属Cu2HgSnX4 (X=Se, Te)的单晶生长、费米能调控及三维Dirac费米子的本征物性研究
  • 批准号：
    51902152
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    吕洋洋
  • 依托单位：
    南京大学
第二类Dirac半金属AX2（A=Pd、Pt；X=Se、Te）高压物性研究
强磁场下的拓扑Dirac半金属输运特性研究