Establishment of photocarrier injection method by which electronic properties of strongly correlated materials can be controlled.
建立可控制强相关材料电子特性的光载流子注入方法。
基本信息
- 批准号:23540410
- 负责人:
- 金额:$ 3.16万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2013
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Photocarrier injection to transition metal oxide thin films and the electronic states of the films are investigated. We have observed an insulator-to-metal transition of VO2 thin films induced by soft X-ray irradiation. Electron carriers are injected into the V 3d band upon soft-X ray irradiation. We propose a simple model where the transition is driven by desorption of oxygen from the films. The Fermi surface topology of a metallic VO2 thin film is studied by angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) and the nesting vector is found to be present. Near topmost layer of CrO2 thin films are revealed to be metallic by surface sensitive PES. Also, a single-phase TaO2 thin film and spinodally decomposed (V,Ti)O2 thin film are developed.
研究了过渡金属氧化物薄膜的光生载流子注入及其电子态。我们观察到了软X射线辐照引起的VO2薄膜的绝缘体到金属的转变。在软X射线辐照下,电子载流子注入到V3d带。我们提出了一个简单的模型,其中的过渡是由脱附的氧从薄膜驱动。用角分辨光电子能谱(ARPES)研究了金属VO2薄膜的费米面拓扑结构,发现存在嵌套矢量。表面敏感的PES显示CrO2薄膜的最上层附近是金属。此外,单相TaO2薄膜和调幅分解(V,Ti)O2薄膜的开发。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
放射光照射によるVO2薄膜への電子キャリア注入
同步辐射辐照将电子载流子注入VO2薄膜
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:村岡祐治;長尾浩樹;脇田高徳;平井正明;横谷尚睦;室隆桂之;為則雄祐
- 通讯作者:為則雄祐
VO2薄膜における放射光照射効果
同步辐射对VO2薄膜的影响
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:村岡祐治;片山晋輔;長尾浩樹;脇田高徳;平井正明;横谷尚睦;室隆桂之;泉雄大;為則雄祐
- 通讯作者:為則雄祐
Surface physical property of the CrO2 thin films prepared using a closed chemical vapor deposition method, Materials Research Society online Proceedings library
采用封闭式化学气相沉积法制备的 CrO2 薄膜的表面物理性质,材料研究学会在线论文集库
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Muraoka;S. Yoshida;T. Wakita;M. Hirai;T. Yokoya
- 通讯作者:T. Yokoya
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Control of physical properties by means of photocarrier injection
通过光载流子注入控制物理性能
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$ 3.16万 - 项目类别:
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