Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
多带隙半导体能带结构控制及其在高效太阳能电池中的应用
批准号：
23560007
负责人：
NABETANI Yoichi
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2013
关键词：
中文摘要
翻译
太阳光是最重要的可再生能源之一。我们培育了具有中间带隙的半导体，以提高太阳能电池的效率。我们研究了由ZnTe和O组成的ZnTeO合金具有中间带。利用半导体作为太阳能电池，需要pn结。然而，由于n型ZnTe具有自补偿性，很难制备。用al扩散法制备了n型ZnTeO。
英文摘要
Sun shine is one of the most important renewable energies. We have grown semiconductors which has an intermediate band gap to increase the efficiency of solar cell. We have investigated that the ZnTeO alloy which consists of ZnTe and O has intermediate band. To utilize semiconductor as solar cell, pn junction is needed. However, it is difficult to make n-type ZnTe because of self-compensation. We have made n-type ZnTeO by Al-diffusion.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Charcterization of ZnTe and ZnTeO Alloy bu DLTS
DLTS 中 ZnTe 和 ZnTeO 合金的表征
DLTS 中 ZnTe 和 ZnTeO 合金的表征
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoki Tsuboya, Junichi Hinata, Yoichi Nabetani, Tsutomu Muranaka, and Takashi Matsumoto]
通讯作者：
and Takashi Matsumoto
研究室ホームページ
实验室主页
实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
n-ZnO/p-ZnTeOヘテロ接合のバンド不連続解析
n-ZnO/p-ZnTeO 异质结的能带不连续性分析
n-ZnO/p-ZnTeO 异质结的能带不连续性分析
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木貴博, 三枝直樹, 鍋谷暢一, 村中司, 松本俊]
通讯作者：
松本俊
Characterization of ZnTe and ZnTeO Alloy by DLTS
DLTS 表征 ZnTe 和 ZnTeO 合金
DLTS 表征 ZnTe 和 ZnTeO 合金
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoki Tsuboya, Junichi Hinata, Yoichi Nabetani, Tsutomu Muranaka, and Takashi Matsumoto]
通讯作者：
and Takashi Matsumoto
容量DLTS法によるZnTeおよびZnTeOの物性評価
电容DLTS法评价ZnTe和ZnTeO物理性能
电容DLTS法评价ZnTe和ZnTeO物理性能
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[坪谷直樹, 日向淳一, 鍋谷暢一, 村中司, 松本俊]
通讯作者：
松本俊
共 16 条
Band structure control of multi-band gap semiconductors and its application to solar cell
-
批准号：18K04956
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$2.58万
-
财政年份：2018
-
负责人：NABETANI Yoichi
-
依托单位：
Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
-
批准号：15K04662
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$3.24万
-
财政年份：2015
-
负责人：NABETANI Yoichi
-
依托单位：
Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
-
批准号：20560008
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$3.0万
-
财政年份：2008
-
负责人：NABETANI Yoichi
-
依托单位：
海外基金