Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
多带隙半导体能带结构控制及其在高效太阳能电池中的应用
批准号：
20560008
负责人：
NABETANI Yoichi
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
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英文摘要
Sun shine is one of the most important renewable energies. We have grown semiconductors which has an intermediate band gap to increase the efficiency of solar cell. We have shown that the intermediate band gap semiconductors can absorb photons having less energy than band gap and can generate current. The practical solar cells were made and investigated their properties.
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Epitaxial growth and characterization of ZnSTeO quaternary alloys
ZnSTeO四元合金的外延生长及表征
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shinsuke Ifuku, Antonio N. Nakagaito, Hiroyuki Saimoto, Y.Nabetani]
通讯作者：
Y.Nabetani
DOI：
10.1063/1.3242026
发表时间：
2009-10-12
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Broesler, R., Haller, E. E., Nabetani, Y.]
通讯作者：
Nabetani, Y.
MBE成長したZnTeO混晶の構造および光学特性
MBE 生长的 ZnTeO 混晶的结构和光学性质
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X.Wang, S.B.Che, Y.Ishitani, A.Yoshikawa, 平松和也]
通讯作者：
平松和也
Effects of Ga Doping and Substrate Temperature on Electrical properties of ZnO Transparent Conducting Films Grown by Plasma-Assisted Deposition
Ga 掺杂和衬底温度对等离子体辅助沉积 ZnO 透明导电薄膜电性能的影响
Ga 掺杂和衬底温度对等离子体辅助沉积 ZnO 透明导电薄膜电性能的影响
DOI：
10.1143/jjap.50.05fb13
发表时间：
2011
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[松井裕章, 他, T.Muranaka]
通讯作者：
T.Muranaka
局在順位を有する半導体ZnTeO混晶の光導電性評価
局域有序半导体ZnTeO混晶的光电导评价
局域有序半导体ZnTeO混晶的光电导评价
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H.Fujishiro, T.Naito, 鍋谷暢一]
通讯作者：
鍋谷暢一
共 12 条
Band structure control of multi-band gap semiconductors and its application to solar cell
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批准号：18K04956
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2018
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负责人：NABETANI Yoichi
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依托单位：
Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
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批准号：15K04662
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2015
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负责人：NABETANI Yoichi
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依托单位：
Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell
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批准号：23560007
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.41万
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财政年份：2011
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负责人：NABETANI Yoichi
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依托单位：
海外基金