Control of band structure of multiple band gap semiconductor and its application to high-efficiency solar cell

多带隙半导体能带结构控制及其在高效太阳能电池中的应用

• 批准号: 20560008
• 负责人: NABETANI Yoichi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560008/
• 关键词: 太陽電池; 半導体; 高効率太陽電池; 半導体物性; 結晶工学; 光物性; 結晶成長

Sun shine is one of the most important renewable energies. We have grown semiconductors which has an intermediate band gap to increase the efficiency of solar cell. We have shown that the intermediate band gap semiconductors can absorb photons having less energy than band gap and can generate current. The practical solar cells were made and investigated their properties.

阳光是最重要的可再生能源之一。我们已经生长出具有中间禁带的半导体，以提高太阳能电池的效率。我们已经证明，中间带隙半导体可以吸收比带隙能量小的光子，并可以产生电流。制作了实用化的太阳能电池，并对其性能进行了研究。

项目成果

Epitaxial growth and characterization of ZnSTeO quaternary alloys

ZnSTeO四元合金的外延生长及表征

• 发表时间: 2009
• 作者: Shinsuke Ifuku;Antonio N. Nakagaito;Hiroyuki Saimoto;Y.Nabetani
• 通讯作者: Y.Nabetani

Temperature dependence of the band gap of ZnSe1-xOx

• DOI: 10.1063/1.3242026
• 发表时间: 2009-10-12
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Broesler, R.;Haller, E. E.;Nabetani, Y.
• 通讯作者: Nabetani, Y.

MBE成長したZnTeO混晶の構造および光学特性

MBE 生长的 ZnTeO 混晶的结构和光学性质

• 发表时间: 2011
• 作者: X.Wang;S.B.Che;Y.Ishitani;A.Yoshikawa;平松和也
• 通讯作者: 平松和也

Effects of Ga Doping and Substrate Temperature on Electrical properties of ZnO Transparent Conducting Films Grown by Plasma-Assisted Deposition

Ga 掺杂和衬底温度对等离子体辅助沉积 ZnO 透明导电薄膜电性能的影响

• DOI: 10.1143/jjap.50.05fb13
• 发表时间: 2011
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: 松井裕章;他;T.Muranaka
• 通讯作者: T.Muranaka

局在順位を有する半導体ZnTeO混晶の光導電性評価

局域有序半导体ZnTeO混晶的光电导评价

• 发表时间: 2011
• 作者: H.Fujishiro;T.Naito;鍋谷暢一
• 通讯作者: 鍋谷暢一