Development of Stark modulator using ZnO/ZnMgO quantum wells

使用 ZnO/ZnMgO 量子阱开发 Stark 调制器

• 批准号: 23560010
• 负责人: ABE Tomoki
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Tottori University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560010/
• 关键词: 量子閉じ込めシュタルク効果; ZnO/ZnMgO量子井戸; 透過型光変調器; シュタルクシフト; 紫外光変調器; MBE成長

We have studied quantum confined Stark effect (QCSE) of ZnO/ZnMgO quantum wells. The optical modulator devices are grown on sapphire substrate and we used PEDOT:PSS film as Schotky transparent film formed by ink-jet method. We obtained good crystal quality by using very thin 3nm MgO buffer on c-plane sapphire, and by using this buffer technique we obtained 20meV reverse Stark shift in UV region by applying a reverse voltage of 7V.Secondly we have studied about low voltage operation posibility of optical modulator using ZnO/ZnMgO quantum wells. We used electro-chemical electrode as a Schotky contact to ZnO surface, and we obtained 20meV reverse Stark shift by small reverse bias of 2V.These results shows that ZnO/ZnMgO quantum wells have a good potential for UV optical modulator.

研究了ZnO/ZnMgO量子威尔斯阱的量子限制斯塔克效应。光调制器器件生长在蓝宝石衬底上，我们使用PEDOT：PSS薄膜作为肖特基透明膜，通过喷墨方法形成。我们在c面蓝宝石衬底上采用厚度为3 nm的MgO缓冲层，获得了良好的晶体质量，并利用这种缓冲层技术，在7V的反向电压下，获得了20 meV的紫外区反向斯塔克位移。其次，我们研究了ZnO/ZnMgO量子威尔斯阱光调制器的低电压工作可能性。我们采用电化学电极作为ZnO表面的Schotky接触，在2 V的小反向偏压下，获得了20 meV的反向Stark位移。这些结果表明ZnO/ZnMgO量子阱威尔斯在紫外光调制器方面具有良好的应用前景。

项目成果

Growth mechanisms of ZnO(0001) investigated using the first-principles calculation

使用第一性原理计算研究 ZnO(0001) 的生长机制

• 发表时间: 2012
• 期刊: J. Appl. Phys.
• 作者: K. Fujiwara;A. Ishii;T. Abe;and K. Ando
• 通讯作者: and K. Ando

インクジェット法による有機‐無機ハイブリッド型ZnSSe系紫外APD光検出器の開発～表面保護膜による素子劣化の抑制～

使用喷墨法开发有机-无机混合ZnSSe紫外APD光电探测器〜通过表面保护膜抑制器件劣化〜

• 发表时间: 2013
• 作者: S. Noma;H. Sato;K. R. Reddy;S. Yamamoto;Y. Ozaki;井上亮一,稲垣雄介,筏津教行,藤本健,田中健太,田末章男,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
• 通讯作者: 井上亮一,稲垣雄介,筏津教行,藤本健,田中健太,田末章男,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止

Fermi-level pinning by carrier com- pensating midgap donor defect band in homoepitaxially grown p-type ZnO by MBE

通过MBE同质外延生长的p型ZnO中载流子补偿中能隙施主缺陷带实现费米能级钉扎

• 发表时间: 2014
• 期刊: phys. stat. sol. (c)
• 作者: T. Masamoto;K. Noda;T. Maejima;R. Natsume;T. Matsuo;A. Akiyama;T. Yukue;S. Hiroe;T. Abe;H. Kasada;Y. Harada and K. Ando
• 通讯作者: Y. Harada and K. Ando

RS-MBE法を用いたホモエピタキシャル成長NドープZnO薄膜のp型伝導制御～ポストアニール効果によるNの活性化～

使用 RS-MBE 方法控制同质外延生长的 N 掺杂 ZnO 薄膜中的 p 型传导 ~ 通过后退火效应激活 N ~

• 发表时间: 2011
• 作者: H. Sato;N. Suttiwijitpukdee;M. Unger;Y. Ozaki;夏目龍,加藤晃司,高崎正欣,松尾拓朗,秋山章雅,前島隆之,政本卓也,原田宣明,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
• 通讯作者: 夏目龍,加藤晃司,高崎正欣,松尾拓朗,秋山章雅,前島隆之,政本卓也,原田宣明,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止

ZnOホモエピタキシャル成長薄膜中のNアクセプタの構造不安定性～局所格子歪とp型伝導制御の影響～

ZnO同质外延生长薄膜中N受体的结构不稳定性~局部晶格应变和p型传导控制的影响~

• 发表时间: 2011
• 作者: 吉田卓史;佐々木智久;内藤智之;藤代博之;前島隆之,加藤晃司,高崎正欣,夏目龍,政本卓也,松尾拓朗,秋山章雅,原田宜明,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
• 通讯作者: 前島隆之,加藤晃司,高崎正欣,夏目龍,政本卓也,松尾拓朗,秋山章雅,原田宜明,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止