Study on high-efficiency chalcopyrite-based intermediate-band solar cells

高效黄铜矿基中波段太阳能电池研究

• 批准号: 23560397
• 负责人: ICHINO Kunio
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Tottori University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560397/
• 关键词: 光デバイス・光回路; 太陽電池; 分子線エピタキシー; 中間バンド; 不純物

In order to fabricate high-efficiency solar cells using a chalcopyrite-type semiconductor, CuGaS2, to which an intermediate band is introduced by impurity doping, several subjects have been studied.It was found that a large Cu/Ga supply ratio is necessary for obtaining high-quality crystals in molecular beam epitaxy of CuGaS2. In addition, in order to introduce an intermediate band to CuGaS2, doping of Mn and other transition metal elements has been studied. It was found that Mn atoms can be incorporated into CuGaS2 up to high density, however, the formation of an intermediate band or an improvement in solar cell efficiency have not been confirmed yet.

为了使用通过杂质掺杂引入中间能带的黄铜矿型半导体CuGaS 2制造高效率太阳能电池，研究了几个课题，发现在CuGaS 2的分子束外延中，为了获得高质量晶体，大的Cu/Ga供给比是必要的。此外，为了向CuGaS 2引入中间带，还研究了Mn和其他过渡金属元素的掺杂。已经发现Mn原子可以高密度地掺入CuGaS 2中，然而，中间带的形成或太阳能电池效率的提高尚未得到证实。

项目成果

Lattice relaxation of ZnS on GaP investigated by high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscopy

通过高分辨率 X 射线衍射和透射电子显微镜研究 GaP 上 ZnS 的晶格弛豫

• DOI: 10.1002/pssc.201100596
• 发表时间: 2012
• 期刊: Phys. Status Solidi C
• 作者: Kunio Ichino;Akinori Nishigaki;Akiyoshi Yamauchi
• 通讯作者: Akiyoshi Yamauchi

分子線エピタキシー法によるCuGaS2薄膜の作製と評価に関する研究

分子束外延CuGaS2薄膜的制备与评价研究

• 发表时间: 2011
• 作者: Kunio Ichino;Akinori Nishigaki;and Akiyoshi Yamauchi;本岡将一，佐藤玲維，西川直宏，市野邦男
• 通讯作者: 本岡将一，佐藤玲維，西川直宏，市野邦男

分子線エピタキシー法によるCuGaS2の作製と評価

分子束外延法制备CuGaS2并对其进行评价

• 发表时间: 2013
• 作者: 岡優貴;本岡将一;西川直宏;倉掛真弥;市野邦男;岡優貴，本岡将一，西川直宏，倉掛真弥，市野邦男
• 通讯作者: 岡優貴，本岡将一，西川直宏，倉掛真弥，市野邦男

分子線エピタキシー法によるCuGaS_2薄膜の作製と評価に関する研究

分子束外延CuGaS_2薄膜的制备与评价研究

• 发表时间: 2011
• 作者: 本岡将一;佐藤玲維;西川直宏;市野邦男
• 通讯作者: 市野邦男

Lattice relaxation of ZnS on GaP investigated by HRXRD and TEM

通过 HRXRD 和 TEM 研究 GaP 上 ZnS 的晶格弛豫

• 发表时间: 2011
• 作者: Kunio Ichino;Akinori Nishigaki;and Akiyoshi Yamauchi
• 通讯作者: and Akiyoshi Yamauchi