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Light-element semiconductors

Light-element semiconductors
轻元素半导体
批准号：
23654077
负责人：
LIPPMAA Mikk
金额：
$2.41万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23654077/
关键词：
粒子測定技術軽元素の半導体

项目摘要

项目成果

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The growth of BeO and BeZnO thin films by pulsed laser deposition was studied. A stability diagram was constructed for the growth of crystalline BeO films. It was discovered that it is possible to grow crystalline films even at room temperature. The available alloying limits were determined for both Zn- and Be-rich BeZnO semiconductor films. X-ray dosimetry function was evaluated in Be-doped ZnO films.
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会议论文
BeO-ZnO混晶薄膜の作製
BeO-ZnO混晶薄膜的制备
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Peltier,高橋竜太, Mikk Lippmaa]
通讯作者： Mikk Lippmaa
BeO-ZnO alloy thin films
BeO-ZnO合金薄膜
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [P. Thomas, R. Takahashi, and M. Lippmaa]
通讯作者： and M. Lippmaa
サファイア基盤上におけるBeO薄膜の作製
蓝宝石衬底上BeO薄膜的制备
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Peltier,高橋竜太, Mikk Lippmaa]
通讯作者： Mikk Lippmaa
酸化物メタマテリアル
  • 批准号：
    19651049
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.73万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    LIPPMAA Mikk
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Field-effect phase transitions in nanoscale oxides
  • 批准号：
    19340094
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.06万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    LIPPMAA Mikk
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Field-effect doping of strongly correlated electron systems
  • 批准号：
    17340105
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $9.92万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    LIPPMAA Mikk
  • 依托单位：
    The University of Tokyo