Growth of RT multiferroic artificial superlattice using ALD

使用 ALD 生长 RT 多铁人工超晶格

• 批准号: 23656022
• 负责人: SAKAMA Hiroshi
• 金额: $ 1.5万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656022/
• 关键词: 強磁性強誘電体; エピタキシャル; 磁気材料; 誘電体材料; 超格子; 原子層堆積法; 人工超格子; マルチフェロイックス; 強誘電体; 強磁性体

The aim of the present study is to develop ferroelectric materials without lead which is harmful to environment. In particular, this study has been carried out with the aim of layer-by-layer growth of BiFeO3 using atomic layer deposition (ALD). One of the advantage of ALD is the ability of growth at low temperature.At first, oxide films which include either Fe or Bi were fabricated. Using Bi(ph)3 and Fe(Cp)2 as Bi and Fe precursors which are easily decomposed at low tenperature, oxide films of Bi and Fe were successfully formed. In addition, the combination of Bi(ph)3 and Fe(Cp)2 results in the layer-by-layer growth of BiFeO3 using ALD.

本研究的目的是开发不含铅的铁电材料。特别是，这项研究已经进行了一层一层的BiFeO3使用原子层沉积（ALD）生长的目的。ALD的优点之一是可以在低温下生长，首先制备了含Fe或Bi的氧化物薄膜。以Bi（ph）_3和Fe（Cp）_2为Bi和Fe的低温易分解前驱体，成功地制备了Bi和Fe的氧化膜。此外，Bi（ph）3和Fe（Cp）2的组合导致使用ALD的BiFeO 3的逐层生长。

项目成果

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原子層成長法による酸化鉄の成長

原子层沉积法生长氧化铁

• 发表时间: 2014
• 作者: 田中優;田沼格;坂間弘
• 通讯作者: 坂間弘

SrTiO3(111)上のSrRuO3薄膜の成長

SrTiO3(111)上SrRuO3薄膜的生长

• 发表时间: 2012
• 作者: 江森万里;田沼格;干場光;荒井拓郎;徳安良太;坂間弘
• 通讯作者: 坂間弘

強磁性強誘電体

铁磁体 铁电体