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Demonstration of negative refraction in grapheme pn junction

Demonstration of negative refraction in grapheme pn junction
石墨烯pn结负折射的演示
批准号：
23656204
负责人：
YOH Kanji
金额：
$2.41万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656204/
关键词：
負の屈折クライン-トンネルグラフェンpn 接合pn接合ディラックフェルミオンクライントンネリング負の屈折率ベセラゴレンズnegative refraction

项目摘要

项目成果

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相关文献

中文摘要
翻译
整体的电学测量结果表明，负折射与一些干扰图案重叠。干涉图案被认为是由注入的电子波的多次反射造成的。结果
英文摘要
The overall electrical measurement results indicate negative refraction overlapped with some interference pattern. The interference pattern is thought to come from multiple reflection of the injected electron waves. As a result
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会议论文
グラフェン中の量子輸送特性とトランジスタ応用-スピンデバイスへ向けて
石墨烯和晶体管应用中的量子传输特性 - 针对自旋器件
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Yo Sakaidani, Katsuhiro Hirata, Noboru Niguchi, Shuhei Maeda, H. Takikawa, 陽完治]
通讯作者： 陽完治
Fabrication of Graphene Nanoribbon Network via Nanoimprint Lithography
通过纳米压印光刻技术制造石墨烯纳米带网络
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [Liumin Zou, Keita Konishi, Morihisa Hoga and Kanji Yoh]
通讯作者： Morihisa Hoga and Kanji Yoh
Fabrication of Graphene Network via nanoimprint Technology
通过纳米压印技术制造石墨烯网络
DOI： --
发表时间： 2012
期刊： MRS Proceedings
影响因子： --
作者： [Liumin Zoua1, Keita Konishia1, Morihisa Hogaa2 and Kanji Yoh]
通讯作者： Morihisa Hogaa2 and Kanji Yoh
グラフェンネットワークによるバンドギャップの制御(4)
使用石墨烯网络进行带隙控制 (4)
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Suda, K. Maruyama, H. Tanoue, H. Takikawa, H. Ue, K. Shimizu and Y. Umeda, 鄒柳民,閻子威,小西敬太,法元盛久,陽完治]
通讯作者： 鄒柳民,閻子威,小西敬太,法元盛久,陽完治
共 22 条
    Spin blockade from spin channel to quantum dots and its application to qubit
    • 批准号：
      20241033
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.12万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      YOH Kanji
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Fabrication of Semiconductor Spin Device -Integration of Spin Transistor and Quantum Dots -
    • 批准号：
      14205042
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $32.78万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      YOH Kanji
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Research on a single electron transistor with self-assembled quantum dots and its prototype fabrication
    • 批准号：
      13555100
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $7.94万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      YOH Kanji
    • 依托单位：
      HOKKAIDO UNIVERSITY
    Fabrication of spin-injection transistor and its application to quantum computing devices
    • 批准号：
      12305019
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $23.49万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      YOH Kanji
    • 依托单位：
      HOKKAIDO UNIVERSITY